[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201520438470.6 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN204668348U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
1. 一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片从下向上依次包括：
衬底；
位于衬底上的成核层；
位于成核层上的氮化物缓冲层；
位于氮化物缓冲层上的非掺杂GaN层；
位于非掺杂GaN层上的N型GaN层；
位于N型GaN层上的多量子阱层；
位于多量子阱层上的P型AlGaN层；
位于P型AlGaN层上的P型GaN层；
位于P型GaN层上的P型InGaN接触层，所述P型InGaN接触层中In的摩尔浓度向着远离所述P型GaN层的方向递增；
位于P型InGaN接触层上且与P型InGaN接触层电性导通的P电极，位于N型GaN层上且与N型GaN层电性导通的N电极。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层中In的摩尔浓度向着远离所述P型GaN层的方向线性递增。
3.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层中Ga的摩尔浓度恒定且In和Ga的摩尔浓度比在0.6-2的区间内递增。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层为Mg掺杂。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层的Mg掺杂浓度为2~4×1E20 atoms/cm3。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层的厚度为5-10nm。
7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述氮化物缓冲层的厚度为0.5-1um。
8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型InGaN接触层与P电极之间设有透明导电层。
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