[实用新型]一种节能电池充电器有效

专利信息
申请号: 201520439550.3 申请日: 2015-06-23
公开(公告)号: CN204761087U 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 汤卫秋 申请(专利权)人: 汤卫秋
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02M7/217
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 315700 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 节能 电池充电器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种充电装置,具体为一种节能电池充电器。

背景技术

随着人们生活中用电设备的增多,例如手机的普及,电源充电器也成为与之配套的重要设备之一。而为了能够保持手机能够有充足的电量,有的人经常需要随身携带备用电池,而专用的电池充电器也成为常备的设备之一。现目前市场上的电池充电器样式多种多样,价格也差异很大,其内部结构也很不相同。与手机、电脑等一起销售的充电器,又称为原装充电器,通常具有较好的可靠性,耐压能力较强,但是价格往往较昂贵;而市场上售卖的部分充电器,价格相对比较便宜,但是工作可靠性较差,发热量大,非常浪费电能,容易引起自燃甚至保障的危险,具有一定的安全隐患;在充电器内部,发热量大的单元主要集中在整流单元上,传统电池充电器的整流源都是通过无源器件的整流二极管来完成,对于二极管搭成的整流器在二极管导通状态在电能损耗较大、发热量也比较大,在散热条件不好的情况下更容易出现因积热导致的自然现象。因此,如何设计一种既具有可靠稳定的工作状态,发热量低,安全可靠而造价又相对较低的电池充电器,是目前设计人员所需考虑的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种节能电池充电器,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种节能电池充电器,包括接线插槽U,接线插槽U内设有零线接头N端和火线接头L端,接线插槽U连接有MOS管型复合整流电路,MOS管型复合整流电路包括由四个MOS管T3、T2、T4、T4两两栅极电联形成的第一组合和第二组合,第一组合包括上MOS管T2和下MOS管T4,第二组合包括上MOS管T3、下MOS管T4;第一组合的源极与第二组合源极对应相连;第一组合的上MOS管T2和第二组合的下MOS管T4的漏极连接有变压绕组第一次级L1和变压绕组第二次级L3的同名端;变压绕组第一次级L1和变压绕组第二次级L3的异名端分别电连接第一组合的上MOS管T2和第二组合的下MOS管T4的源极;所述第一组合的下MOS管T4和第二组合的上MOS管T3的漏极电连接有变压绕组第三次级L4和变压绕组第四次级L2的非同名端;所述第一组合和第二组合的源极两端并接有电容C1;所述电容C1两端并接有直流输出端口的直流正极输出端I+和直流负极输出端I-;直流负极输出端I-接地,正极输出端I+连接电感L1的一端和单片机工IC的第六引脚,电感L1的另一端分别与电源输入端正极VDD、单片机IC的第八引脚和电阻R1的一端连接;电阻R1的另一端与三极管Q1的集电极连接,三极管Q1的发射极分别与二极管D1的正极和单片机IC的第七引脚连接,三极管Q1的基极与电阻R2连接后再与二极管D2的负极相连,二极管D2的正极和二极管D1的负极均与单片机IC的第五引脚相连;在所述二极管D1的负极还连接有电容C2,电容C2的另一端接地,在所述单片机IC的第三引脚上还连接有电源输入端负极VOUT。

作为本实用新型更进一步的技术方案,所述的单片机IC采用的是型号为NE555的芯片。

作为本实用新型更进一步的技术方案,所述变压绕组第三次级L4和变压绕组第四次级L2的同名端分别电连接第一组合的下MOS管T4和第二组合的上MOS管T3的源极;所述第一组合的栅极电连接MOS管T1的漏极,第二组合的栅极电连接交流输入端口的N端。

与现有技术相比,本实用新型中采用MOS管型复合整流源作为充电器的输入整流源,其功耗低,发热很少,而且整流输出稳定,抗干扰能力强,能够快速高效的对交流电进行高频有源整流,另一方面,本实用新型的充电器采用了单片机来控制充电电流的大小,能够保持充电过程中充电电流的稳定性,而且在给负载充电时的输出电压也非常稳定,能够避免因电压不稳而造成的设备损坏,同时由于单片机的控制精度较高,进一步减少了充电器的自身发热,提高了充电器的安全性能。

附图说明

图1为本实用新型一种节能电池充电器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。

请参阅图1,一种节能电池充电器,包括接线插槽U,接线插槽U内设有零线接头N端和火线接头L端,接线插槽U连接有MOS管型复合整流电,MOS管型复合整流电路包括由四个MOS管T3、T2、T4、T4两两栅极电联形成的第一组合和第二组合,第一组合包括上MOS管T2和下MOS管T4,第二组合包括上MOS管T3、下MOS管T4;第一组合的源极与第二组合源极对应相连;

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