[实用新型]稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置

说明书

技术领域

本实用新型属于一种电子原器件制作装置，具体的是一种硅基稳压管芯片硼扩散后产生的硼硅相玻璃层的去除装置。

背景技术

稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除方法，具体为稳压管进行硼扩散过程中硅片表面在高温过程产生硼硅相玻璃层，该层在稳压管芯片结构中是不希望存在的，必须将其去除。通常的去除方法是使用HF溶液漂洗去除，或先进行热氧化后再使用HF溶液漂洗去除，但有时去除效果不是很理想，会存在去除不彻底的现象，特别是由于环境或人为因素，导致该硼硅相玻璃吸潮，这层硼硅相玻璃层将很难去除。这种采用电解的原理，将硼硅相玻璃电化学分解，以达到去除的目的，且去除效果非常理想，完全没有残留。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述问题，提出一种稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置，该稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置具有简单、操作方便、快速有效，在室温通风环境下即可实现，可保证高可靠器件的需求，同时避免了由于硅片表面硼硅相玻璃去除不干净导致硅片的报废。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置，设有石英容器，其特征在于：所述石英容器内盛有CuSO₄饱和溶液，所述CuSO₄饱和溶液内放置有一硅片，所述硅片通过导线与与直流电源的正极相连接，所述直流电源的负极通过导线与CuSO₄饱和溶液内的电极相连通。

本实用新型的有益效果：在室温、通风环境下即可实现稳压管硅圆片表面在进行各类硼扩散过程中产生的硼硅相玻璃，避免了由于硼硅相玻璃去除不彻底带来的产品可靠性降低，甚至早期失效。该方法可以大大简化和缩短传统硼硅相玻璃去除方法，避免了HF溶液对氧化层的消耗。可以省去热氧化方法去除硼硅相玻璃的工艺过程，避免了热氧化过程对产品各项参数的影响。

附图说明

　　图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明：

   实施例：参见附图1，稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置，设有石英容器6，所述石英容器内盛有CuSO₄饱和溶液5，所述CuSO₄饱和溶液内放置有一硅片4，所述硅片通过导线与与直流电源1的正极相连接，所述直流电源的负极通过导线2与CuSO₄饱和溶液内的电极3相连通。

选用最大电流1A、最大电压100V的电流电压可调直流电流源，阳极使用导线引出连接至待装载硅片的装置上，阴极使用导线引出连接至一前端可与硅片平行，可对硅片表面进行扫描的电极装置上。

    第二步是CuSO₄饱和溶液配制：使用天平称取100克CuSO₄粉末倒入石英容器中，使用量杯量取500ml水倒入石英容器中，并使用石英棒进行充分搅拌，并静置2小时以后方可使用。

    第三步是硼硅相玻璃去除；将稳压管硅片装载在与电源阳极连接的装置上，并置于CuSO₄饱和溶液中，打开直流电流源，调节电流源电压在30V左右，使用与阴极连接的扫描电极装置对硅片进行非接触式的扫描擦拭，扫描时观察直流电源的电流，其电流显示为400～500mA为最佳，扫描过程中观察硅片表面，能够明显观察到硼硅相玻璃被去除，去除干净后关闭直流电流源的电源，取下硅片，即可按照硅片正常流程进行清洗等后续加工。

最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。