[实用新型]行动记忆装置有效
| 申请号： | 201520445809.5 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN204696097U | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 林殿方 | 申请（专利权）人： | 东琳精密股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/043 | 分类号： | H01L23/043 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 翟国明 |
| 地址： | 中国台湾苗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 行动 记忆 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种行动记忆装置，其特征在于，包括：
一基板；
一控制单元，设置于所述基板上；
一记忆体单元，设置于所述基板上，且电连接于所述控制单元；以及
一保护外壳，包括：
一壳体，包覆所述基板、所述控制单元及所述记忆体单元，所述壳体具有一粗糙外表面；以及
一图案层，形成于所述粗糙外表面上。
2.如权利要求1所述的行动记忆装置，其特征在于，其中所述图案层于所述粗糙外表面上的厚度一致。
3.如权利要求1所述的行动记忆装置，其特征在于，其中所述图案层于所述粗糙外表面上形成一平坦表面。
4.如权利要求1所述的行动记忆装置，其特征在于，其中所述壳体是一射出成型壳体。
5.如权利要求1所述的行动记忆装置，其特征在于，其中所述壳体是一注胶模封壳体。
6.如权利要求1所述的行动记忆装置，其特征在于，其中所述图案层是一网印、转印或喷墨图案层。
7.如权利要求1所述的行动记忆装置，其特征在于，其中所述记忆体单元是一快闪记忆体单元。
8.如权利要求1所述的行动记忆装置，其特征在于，其中所述壳体的表面粗糙化制程可以喷砂、磨砂、干式蚀刻或高温烧灼等方式形成，且所述粗糙化表面为不规则状。
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