[实用新型]双通道短波射频预处理系统

权利要求书

1.双通道短波射频预处理系统，其特征在于：包括带通滤波器、射频衰减器以及高线性放大器，带通滤波器的信号输出端与射频衰减器的信号输入端连接，射频衰减器的信号输出端与高线性放大器的信号输入端连接，射频信号经带通滤波器滤波之后，进入射频衰减器完成衰减，再经高线性放大器进行信号放大后输出，射频衰减器和高线性放大器由电源进行供电。

2.根据权利要求1所述的双通道短波射频预处理系统，其特征在于：所述带通滤波器电感用磁芯为自制镍锌磁芯，磁芯的长*宽*高为3.5*2*2mm，孔径为1mm，磁导率为1k。

3.根据权利要求1所述的双通道短波射频预处理系统，其特征在于：所述射频衰减器包括输出变压器T9、输出变压器T10、第一射频数字衰减器U1和第二射频数字衰减器U2，所述输出变压器T9的一路信号输入第一射频数字衰减器U1，另一路信号输入第二射频数字衰减器U2；

所述第一射频数字衰减器U1的射频输入端RF1串接电容C12后连接到输出变压器T9的输出端，第一射频数字衰减器U1的射频输出端RF2串接电容C14后连接到输出变压器T10的输入端，所述第一射频数字衰减器U1的两个VDD端连接有三个相互并联的电容，分别是电容C15、电容C18及电容C17；所述第一射频数字衰减器U1的5个衰减控制端，分别为衰减控制端C1、衰减控制端C2、衰减控制端C4、衰减控制端C8、衰减控制端C16；还包括电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电容C11及电容C13，所述电阻R11的一端与第一射频数字衰减器U1的衰减控制端C16连接，另一端接地；所述电阻R12的一端与第一射频数字衰减器U1的衰减控制端C1连接，另一端接地；所述电阻R13的一端与第一射频数字衰减器U1的衰减控制端C2连接，另一端接地；所述电阻R14的一端与第一射频数字衰减器U1的衰减控制端C4连接，另一端接地；所述电阻R15的一端与第一射频数字衰减器U1的衰减控制端C8连接，另一端接地；所述电容C11的一端与第一射频数字衰减器U1的衰减控制端C16连接，另一端接地；所述电容C13的一端与第一射频数字衰减器U1的射频输出端RF2连接，另一端接地；还包括电感L，所述电感L的一端接第一射频数字衰减器U1的VDD端，电感L的另一端接+3.3V；

所述第二射频数字衰减器U2的射频输入端RF1串接电容C22后连接到输出变压器T9的输出端，第二射频数字衰减器U2的射频输出端RF2串接电容C24后连接到输出变压器T10的输入端，所述第二射频数字衰减器U2的两个VDD端连接有三个相互并联的电容，分别是电容C25、电容C26及电容C27；所述第二射频数字衰减器U2的5个衰减控制端，分别为衰减控制端C1、衰减控制端C2、衰减控制端C4、衰减控制端C8、衰减控制端C16；还包括电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电容C21及电容C23，所述电阻R21的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C16连接，另一端接地；所述电阻R22的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C1连接，另一端接地；所述电阻R23的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C2连接，另一端接地；所述电阻R24的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C4连接，另一端接地；所述电阻R25的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C8连接，另一端接地；所述电容C21的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C16连接，另一端接地；所述电容C23的一端与第二射频数字衰减器U2的射频输出端RF2连接，另一端接地。

4.根据权利要求3所述的双通道短波射频预处理系统，其特征在于：所述第一射频数字衰减器U1和第二射频数字衰减器U2的型号为PE4306。

5.根据权利要求4所述的双通道短波射频预处理系统，其特征在于：所述第一射频数字衰减器U1的并行/串行接口与VDD端之间连接有电阻R16，所述第二射频数字衰减器U2的并行/串行接口与VDD端之间连接有电阻R26。