[实用新型]新型F波段三倍频器

权利要求书

1.一种新型F波段三倍频器，其特征在于：包括石英基板（103）、GaN基高截止频率肖特基二极管（110）、射频输出波导（101）和基波输入波导（102），石英基板（103）上的第一传输微带线（104）横跨在基波输入波导（102）上，将基波信号过度到石英微带电路上，第一传输微带线（104）经第二传输微带线（105）、低通滤波器（106）与基板匹配传输线（107）的一端连接，基板匹配传输线（107）的另一端与GaN基高截止频率肖特基二极管（110）的正极连接，GaN基高截止频率肖特基二极管（110）的负极接地；输出匹配微带线（108）的一端与GaN基高截止频率肖特基二极管（110）的正极连接，另一端与输出端过度微带线（109）的一端连接，输出端过度微带线（109）横跨在射频输出波导（101）上，将所需要的谐波信号从石英微带电路过度至射频输出波导（101）；所述第一传输微带线（104）、第二传输微带线（105）、低通滤波器（106）、基板匹配传输线（107）、GaN基高截止频率肖特基二极管（110）、输出匹配微带线（108）和输出端过度微带线（109）位于所述石英基板（103）上。

2.根据权利要求1所述的新型F波段三倍频器，其特征在于：所述低通滤波器（106）为5阶或7阶高低阻抗微带滤波器。

3.根据权利要求1所述的新型F波段三倍频器，其特征在于：所述GaN基高截止频率肖特基二极管（110）包括四个GaN基二极管，其中两个为一组，一组中的两个GaN基二极管先串联，再与另一组中串联的两个GaN基二极管并联。

4.根据权利要求1所述的新型F波段三倍频器，其特征在于：石英基板（103）的厚度为30微米到75微米。

5.根据权利要求1所述的新型F波段三倍频器，其特征在于：石英基板（103）整体放置在射频输出波导（101）和基波输入波导（102）之间的波导槽中，波导槽的槽宽比石英基板（103）宽40微米-60微米。