[实用新型]调容式达林顿型发射器

权利要求书

1.调容式达林顿型发射器，其特征是：由射频单元、电源电路、达林顿式转换电路、变码控制电路、三极管控制电路、编码集成电路共同组成；

其中：电源电路由电池与发射开关组成：电池的负极接调容式达林顿型发射器的地线，电池的正极接发射开关的一端，发射开关的另一端为调容式达林顿型发射器的电源；

达林顿式转换电路由积分电路、达林顿电路组成；

积分电路由放电二极管、积分电阻、积分电容组成；

达林顿电路由达林顿前管、达林顿后管、一个集电极对地电阻组成；

达林顿前管的发射极接达林顿后管的基极，达林顿后管的发射极接电源，达林顿前管与后管的集电极接在一起，接集电极对地电阻到地线，积分电容的一端连接达林顿前管的基极，积分电容的另一端接积分电阻到地线，放电二极管的正极接在达林顿前管的基极，放电二极管的负极接电源，达林顿前管与后管的集电极接在一起成为达林顿式转换电路的输出；

变码控制电路由第一变码控制电路与第二变码控制电路组成：

第一变码控制电路由第一基极电阻、第一变码控制三极管组成：第一基极电阻的一端连接微分互补型两次变换电路的输出，第一基极电阻的另一端连接第一变码控制三极管的基极，第一变码控制三极管的发射极接地线，第一变码控制三极管的集电极即是变码控制电路的第一输出；

第二变码控制电路由第二基极电阻、集电极电阻、第二变码控制NPN三极管、第二变码控制PNP三极管组成：第二基极电阻的一端连接微分互补型两次变换电路的输出，第二基极电阻的另一端连接第二变码控制NPN三极管的基极，第二变码控制NPN三极管的发射极接地线，集电极电阻接在电源与第二变码控制NPN三极管的集电极之间，第二变码控制NPN三极管的集电极连接第二变码控制PNP三极管的基极，第二变码控制PNP三极管的发射极接电源，第二变码控制PNP三极管的集电极即是变码控制电路的第二输出；

三极管控制电路由三极管、控制电阻、集电极电源电阻组成：控制电阻的一端连接达林顿式转换电路的输出，控制电阻的另一端接三极管的基极，三极管的发射极接地线，三极管的集电极与电源之间接一个集电极电源电阻，三极管的集电极即是三极管控制电路的输出；

编码集成电路的地址码中的两位地址码接为变动码，其余接为固定码；

编码集成电路的数据端中的两位数据端接为变位端；

两位变动码分别接变码控制电路的两位输出，与变码控制电路的第一输出相接的变动码即是第一变动码，与变码控制电路的第二输出相接的变动码即是第二变动码；两位变位端分别与达林顿式转换电路的输出、三极管控制电路的输出相接，与达林顿式转换电路的输出相接的变位端即是第一变位端，与三极管控制电路的输出相接的变位端即是第二变位端；

编码集成电路的输出接射频单元中调制电路中的调制电阻的一端；

射频单元由调制电路、射频电路、铜箔天线共同组成；

调制电路由调制电阻与调制三极管组成：编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻另一端接调制三极管的基极，调制三极管的发射极接地，集电极接高频发射管的发射极；

铜箔天线是∩形状，左右两条垂直铜箔用弧形铜箔吻接，其尺寸是，铜箔宽度为2毫米，左右两条垂直的铜箔长度为30毫米，两条垂直铜箔的间距为20毫米，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米；

射频电路：晶振有三个端头，一个端头接铜箔天线的输入端，第二个端头接高频发射管的基极，第三个端头接高频发射管的发射极；

高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间，高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端；

铜箔天线的输入端与输出端之间接一个调频电容，调频电容并联一个固定电容；

旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间；

去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间。

2.根据权利要求1所述的调容式达林顿型发射器，其特征是：达林顿前管与达林顿后管都是PNP三极管。

3.根据权利要求1所述的调容式达林顿型发射器，其特征是：放电二极管是面贴合型二极管。