[实用新型]一种与温度无关的电流源

说明书

技术领域

本实用新型涉及电流源，尤其涉及到与温度无关的电流源。

背景技术

为了减少温度对输出电流的影响，设计了与温度无关的电流源。

发明内容

本实用新型旨在提供一种与温度无关的电流源。

一种与温度无关的电流源，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻和第六PMOS管：

所述第一PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第二PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极；

所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第四PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；

所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；

所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；

所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二NMOS管的源极，源极接所述第一电阻的一端；

所述第一电阻的一端接所述第三NMOS管的源极，另一端接地；

所述第六PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极，漏极作为电流输出端IOUT，源极接电源电压VCC。

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管构成启动电路部分，所述第二PMOS管的栅极通过所述第二PMOS管的栅极接地而导通，有启动电流传给由所述第一NPN管、所述第二NPN管、所述第三NPN管和所述第一电阻构成电流源的核心部分，启动电流通过所述第一NPN管镜像给所述第二NPN管进而使整个电流源开始工作，再通过所述第五PMOS管和所述第四PMOS管反馈电路传给电流源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电流源正常工作后，由于所述第一PMOS管导通使得所述第三PMOS管的栅极拉高，所述第三PMOS管的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第一电阻上的电流是所述第一NMOS管的阈值电压除以所述第一电阻和所述第三NMOS管形成的RDS电阻之和，由于所述第三NMOS管形成的RDS电阻呈正温度系数，所述第一电阻就要设置负温度系数的多晶POLY电阻，通过调节这两个电阻的温度系数达到零温度系数；所述第一电阻上的电流再通过所述第五PMOS管镜像给所述第六PMOS管电流IOUT。

附图说明

图1为本实用新型的与温度无关的电流源的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。

一种与温度无关的电流源，如图1所示，包括第一PMOS管101、第二PMOS管102、第三PMOS管103、第四PMOS管104、第五PMOS管105、第一NMOS管106、第二NMOS管107、第三NMOS管108、第一电阻109和第六PMOS管110：

所述第一PMOS管101的栅极接所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管110的栅极和所述第二NMOS管107的漏极，漏极接所述第二PMOS管102的源极和所述第三PMOS管103的栅极，源极接电源电压VCC；