[实用新型]GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 201520453457.8 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN204809246U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;陈立人;冯猛 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 | ||
1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：
衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型GaN层；所述MQW有源层包括InGaN阱层、以及生长在InGaN阱层之上的掺杂垒层，所述掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述InGaN阱层接触的下表面到与所述P型GaN层接触的上表面先递增，再递减。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，
所述掺杂垒层与InGaN阱层接触的下表面中，所述x的取值为0。
3.根据权利要求2所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，
所述掺杂垒层与P型GaN层接触的上表面中，所述x的取值为0。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述掺杂垒层自下向上包括第一掺杂垒层及第二掺杂垒层，所述第一掺杂垒层AlxGa(1-x)N自下向上x值逐渐升高，且x的取值范围为0到10%，所述第二掺杂垒层AlxGa(1-x)N自下向上x值逐渐降低，且x的取值范围为10%到0。
5.根据权利要求4所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述第一掺杂垒层厚度范围为20-80埃。
6.根据权利要求4所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述第二掺杂垒层厚度范围为20-80埃。
7.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述掺杂垒层自下向上包括第一掺杂垒层、第二掺杂垒层及第三掺杂垒层，所述第一掺杂垒层AlxGa(1-x)N自下向上x值逐渐升高，且x的取值范围为0到10%，所述第二掺杂垒层不掺杂铝或者掺杂恒定浓度的铝，所述第三掺杂垒层AlxGa(1-x)N自下向上x值逐渐降低，且x的取值范围为10%到0。
8.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述掺杂垒层自下向上包括第一掺杂垒层、第二掺杂垒层及第三掺杂垒层，所述第一掺杂垒层AlxGa(1-x)N自下向上x值逐渐升高，且x的取值范围为0到10%，所述第二掺杂垒层AlxGa(1-x)N中x为恒定值，x的取值范围为4%到10%，所述第三掺杂垒层AlxGa(1-x)N自下向上x值逐渐降低，且x的取值范围为10%到0。
9.根据权利要求7或8任一所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述第一掺杂垒层厚度20-40埃，所述第二掺杂垒层厚度40-60埃，所述第三掺杂垒层厚度20-40埃。
10.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述InGaN阱层接触的下表面到与所述P型GaN层接触的上表面先线性递增，再线性递减。
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