[实用新型]基于高压LED芯片的隔离结构有效
| 申请号： | 201520453460.X | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN204809227U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李庆 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L21/784;H01L21/3065;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 高压 led 芯片 隔离 结构 | ||
1.一种基于高压LED芯片的隔离结构，所述隔离结构包括衬底及若干位于衬底上的高压LED外延结构，所述高压LED外延结构包括通过串联电极串联的第一LED外延结构和第二LED外延结构，相邻所述高压LED外延结构之间定义有切割道，每个高压LED外延结构中的第一LED外延结构和第二LED外延结构之间定义有隔离道，其特征在于，所述隔离结构上定义有第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，所述第二刻蚀区域环绕于第一刻蚀区域外围，所述第一刻蚀区域内包括若干第一切割道和第一隔离道，所述第一隔离道的刻蚀至衬底，第一切割道的刻蚀深度小于第一隔离道的刻蚀深度，第二刻蚀区域内包括若干第二切割道和第二隔离道，第二切割道和第二隔离道均刻蚀至衬底。
2.根据权利要求1所述的基于高压LED芯片的隔离结构，其特征在于，所述第二刻蚀区域为衬底上边缘2~10排高压LED外延结构所在的区域。
3.根据权利要求2所述的基于高压LED芯片的隔离结构，其特征在于，所述第二刻蚀区域为衬底上边缘2排高压LED外延结构所在的区域。
4.一种基于高压LED芯片的隔离结构，所述隔离结构包括衬底及若干位于衬底上的高压LED外延结构，所述高压LED外延结构包括串联形成的第一LED外延结构和第二LED外延结构，相邻所述高压LED外延结构之间定义有切割道，每个高压LED外延结构中的第一LED外延结构和第二LED外延结构之间定义有隔离道，其特征在于，所述隔离结构上定义有第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，所述第二刻蚀区域环绕于第一刻蚀区域外围，所述第一刻蚀区域内包括若干第一切割道和第一隔离道，所述第一隔离道的刻蚀至衬底，第一切割道的刻蚀深度小于第一隔离道的刻蚀深度，第二刻蚀区域全部刻蚀至衬底。
5.根据权利要求4所述的基于高压LED芯片的隔离结构，其特征在于，所述第二刻蚀区域为衬底上边缘宽度1~5cm所在的区域。
6.根据权利要求5所述的基于高压LED芯片的隔离结构，其特征在于，所述第二刻蚀区域为衬底上边缘宽度1cm所在的区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
