[实用新型]III族氮化物衬底有效
| 申请号： | 201520454086.5 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN204905260U | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 王明月;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 衬底 | ||
【权利要求书】：
1.一种III族氮化物衬底，用于外延生长，其特征在于，所述衬底的III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽，所述沟槽的深度范围是0.3nm-50nm，宽度范围是10nm-500nm。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底，其特征在于，所述沟槽的深度范围是0.1nm～8.0nm，且宽度范围是10nm～344nm。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底，其特征在于，所述沟槽的深度范围是0.1nm～16.3nm，且宽度范围是10nm～166nm。
4.一种III族氮化物衬底，包括支撑衬底和外延层，所述支撑衬底和外延层均为III族氮化物材料，且所述支撑衬底与外延层贴合的表面是其III族氮化物面，其特征在于，所述支撑衬底的III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽，所述沟槽的深度范围是0.3nm-50nm，宽度范围是10nm-500nm。
5.根据权利要求4所述的III族氮化物衬底，其特征在于，所述外延层填充至所述沟槽内。
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