[实用新型]一种沟槽式IGBT芯片有效
| 申请号： | 201520457105.X | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN204760389U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;吕新立 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 芯片 | ||
1.一种沟槽式IGBT芯片，包括底层的P型注入区（9），在P型注入区（9）上方依次设有N型缓冲区（8）、N型漂移区（7）以及P-body型区（5），在P-body型区（5）上间隔开有沟槽（11），沟槽（11）内表面设有栅氧化层（6）且内部填充有多晶硅（3），沟槽（11）两侧做有N+型区（4），在沟槽（11）以及N+型区（4）上方设有硼磷硅玻璃（2），芯片上方覆盖金属层（1），其特征在于：所述沟槽（11）的深度小于P-body型区（5）的厚度，沟槽（11）整体位于P-body型区（5）中。
2.根据权利要求1所述的沟槽式IGBT芯片，其特征在于：所述的沟槽（11）底部与N型漂移区（7）之间的间距为0.1~3μm。
3.根据权利要求1或2所述的沟槽式IGBT芯片，其特征在于：所述的沟槽（11）底部与N型漂移区（7）之间的间距为1μm。
4.一种沟槽式IGBT芯片，包括底层的N型注入区，在N型注入区上方依次设有P型缓冲区、P型漂移区以及N-body型区，在N-body型区上间隔开有沟槽（11），沟槽（11）内表面设有栅氧化层（6）且内部填充有多晶硅（3），沟槽（11）两侧做有P+型区，在沟槽（11）以及P+型区上方设有硼磷硅玻璃（2），芯片上方覆盖金属层（1），其特征在于：所述沟槽（11）的深度小于N-body型区的厚度，沟槽（11）整体位于N-body型区中。
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