[实用新型]数码相机的互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统

说明书

技术领域

本实用新型属于影像器械设备领域，具体涉及数码相机的互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统。

背景技术

目前，在影像器械中安装有CMOS图像传感器及CMOS图像传感电路系统，在CMOS图像传感器及CMOS图像传感电路系统中安装有新型技术，使得数值更加准确，但是存在着很多问题。申请号：201210022554.2的中国专利文献报道了一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感电路系统，本发明提供一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感电路系统。其中，CMOS图像传感器包括：分别用于基于所感测的光信号来产生相应电荷的第一光电区及第二光电区；用于收集来自第一光电区或第二光电区的电荷的浮置扩散区；用于存储第一光电区所产生的电荷的存储区；用于使浮置扩散区复位的复位晶体管区；用于接入第一控制信号以便使第一光电区的电荷运动至存储区的第一电极；用于接入第二控制信号以便使第二光电区的电荷运动至浮置扩散区的第二电极；以及用于接入第三控制信号以便使第一光电区的电荷运动至浮置扩散区的第三电极。本发明的优点包括：具有高的动态范围及光敏感性。本新型结构含有上述专利有的优点，但是它成像效果不高，降噪能力低，画面处理效果不太理想，所以我设计了数码相机的互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统。

实用新型内容

为了解决上述存在的问题，本实用新型提供数码相机的互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：

数码相机的互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统，包括互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统设备本体、数码相机机身、相机尼克尔G镜头组，所述数码相机机身上安装有所述相机尼克尔G镜头组；所述相机尼克尔G镜头组内部连接着镜头内部驱动马达和高清液晶显示器取景器；所述高清液晶显示器取景器安装在所述互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统设备本体内部正中央；所述镜头内部驱动马达安装在所述数码相机机身上；所述高清液晶显示器取景器连接着CMOS图像传感器。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述CMOS图像传感器连接着图像处理芯片DIGIC；所述图像处理芯片DIGIC安装在CMOS影像处理系统上；所述CMOS影像处理系统连接着所述CMOS图像传感器；所述CMOS影像处理系统连接着数据存储系统；所述数码相机机身上安装有图像LED显示屏；所述图像LED显示屏旁边设置有操作按钮。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述数码相机机身内部安装有内置锂离子电池；所述内置锂离子电池连接着外置电源接口；所述外置电源接口旁边设置有外接设备AV端子接口；所述外接设备AV端子接口上方有SD存储卡插槽。

与现有的技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构简单，使用方便，成像效果好，降噪能力高，色彩还原较好，用于数码相机的互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型的结构俯视图；

图3是本实用新型的结构左视图。

图中：1、互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统设备本体；2、数码相机机身；3、相机尼克尔G镜头组；4、镜头内部驱动马达；5、高清液晶显示器取景器；6、CMOS图像传感器；7、图像处理芯片DIGIC；8、CMOS影像处理系统；9、数据存储系统；10、图像LED显示屏；11、操作按钮；12、内置锂离子电池；13、外置电源接口；14、外接设备AV端子接口；15、SD存储卡插槽。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：

如图1、图2、图3所示，数码相机的互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统，包括互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统设备本体1、数码相机机身2、相机尼克尔G镜头组3，所述数码相机机身2上安装有所述相机尼克尔G镜头组3；所述相机尼克尔G镜头组3内部连接着镜头内部驱动马达4和高清液晶显示器取景器5；所述高清液晶显示器取景器5安装在所述互补性氧化金属半导体CMOS传感器系统设备本体1内部正中央；所述镜头内部驱动马达4安装在所述数码相机机身2上；所述高清液晶显示器取景器5连接着CMOS图像传感器6。