[实用新型]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，其特征在于包括：

具有主表面的半导体层；和

隔离结构，所述隔离结构包含：

处于所述半导体层内并且具有第一导电类型的第一阱区域；

处于所述半导体层内并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二阱区域；和

处于所述半导体层内并且具有所述第一导电类型的第三阱区域，

其中，

所述第二阱区域被设置在所述第一阱区域和所述第三阱区域之间，并且，

所述第一阱区域、所述第二阱区域和所述第三阱区域相互电连接。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于还包括：

所述第一阱区域内的第一重度掺杂区域；

所述第二阱区域内的第二重度掺杂区域；

所述第三阱区域内的第三重度掺杂区域；和

直接接触所述第一重度掺杂区域、所述第二重度掺杂区域和所述第三重度掺杂区域中的每一个的导电部件。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于还包括电子构件，其中，所述电子构件沿横向被所述隔离结构包围。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于所述电子构件包含晶体管、电容器、二极管、电阻器或者它们的任意的组合。

5.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于还包括：

基板；

设置在所述基板与所述电子构件之间的埋入导电区域；和

从所述半导体层的所述主表面向所述埋入导电区域延伸的导电区域，

其中，

所述隔离结构被设置在所述电子构件与所述导电区域之间，并且，

所述埋入导电区域和所述导电区域具有所述第二导电类型并且相互电连接。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于所述导电区域与电源端子耦合。

7.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于还包括设置在所述隔离结构与所述电子构件之间的第一场隔离区域。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其特征在于还包括第二场隔离区域，其中，所述第一场隔离区域邻接所述第一阱区域，并且，所述第二场隔离区域邻接所述第三阱区域。

9.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于还包括设置在所述埋入导电区域与所述第一阱区域、所述第二阱区域和所述第三阱区域之间的降低表面电场区域。

10.一种电子器件，其特征在于包括：

基板；

覆盖基板并具有主表面和第一导电类型的半导体层；和

隔离结构，所述隔离结构包含：

处于所述半导体层内并且具有第一导电类型的第一阱区域；

处于所述半导体层内并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二阱区域；和

处于所述半导体层内并且具有所述第一导电类型的第三阱区域，

设置在所述基板与所述基板的主表面之间的埋入掺杂区域；

从所述半导体层的所述主表面向所述埋入掺杂区域延伸的沉降区域；

设置在所述埋入掺杂区域与所述第一阱区域、所述第二阱区域和所述第三阱区域之间的第一降低表面电场区域；

位于电子构件与所述埋入掺杂区域之间的第二降低表面电场区域；

第一场隔离区域和第二场隔离区域，其中，所述隔离结构被设置在所述第一场隔离区域和所述第二场隔离区域之间；和

沿横向被所述隔离结构以及所述第一场隔离区域和所述第二场隔离区域包围并且覆盖所述埋入掺杂区域的所述电子构件，

其中，

所述埋入掺杂区域和所述沉降区域具有所述第二导电类型并且相互电连接，并且，

所述埋入掺杂区域和所述沉降区域中的每一个由所述半导体层的一部分与所述隔离结构分开。