[实用新型]一种双面显示屏及移动终端有效
申请号: | 201520460884.9 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN204790242U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 李方方 | 申请(专利权)人: | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1335 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 显示屏 移动 终端 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子设备的显示屏领域,尤其涉及一种双面显示屏及移动终端。
背景技术
现在双面显示都是两面是液晶显示面板,中间是由一块背光模组或者两块背光模组,由于液晶面板本身不发光,所以必须要有背光模组来提供光源。现有方案的缺陷为整个模组厚度较厚。即使使用单背光方案,整个显示模组的厚度约为0.66mm(panel液晶面板)+1.07mm(背光)+0.66mm(panel液晶面板)=2.4mm;双背光的方案整体模组厚度约0.66mm+0.9mm+0.9mm+0.66mm=3.12mm。
在目前手持设备轻薄化的趋势下,采用上述双面液晶面板方案做出来的设备将会相当厚重。而且如果要实现触控功能,以单层多点TW触控为例,TW模组厚度为:0.55mm(盖板)+0.125mm(OCA)+0.125mm(ITOfilm)=0.8mm。因此触控显示模组总厚度为0.8mm(TW)+0.175mm(OCA)+2.4mm(双面液晶显示模组)=3.375mm。如果将触控做在液晶显示面板上,即oncell或者incell方案,只需要增加0.55mm盖板和0.175mmOCA,所以触控显示模组的总厚度为0.55mm(盖板)+0.175mm(OCA)+2.4mm(双面液晶显示模组)=3.125mm,由此可见现有技术中的双面显示屏厚度较大,不利于终端设备的轻薄。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种双面显示屏及移动终端,其厚度较薄。
为了解决上述技术问题,一方面,本实用新型的实施例提供了一种双面显示屏,包括缓冲层、低温多晶硅层、封装玻璃层以及偏光片;
所述低温多晶硅层为两层,分别设置在所述缓冲层相对的两侧;
所述封装玻璃层为两层,分别连接于两所述低温多晶硅层;且所述封装玻璃层设置于所述低温多晶硅层上相对远离所述缓冲层的表面;两层所述封装玻璃层中至少一层中内嵌有触控组件;
所述偏光片为两层,分别连接于两所述封装玻璃层;且所述偏光片设置于所述封装玻璃层上相对远离所述低温多晶硅层的表面。
其中,所述缓冲层为缓冲泡棉。
其中,所述缓冲层为两层,两层所述缓冲层相连,并分别与两所述低温多晶硅层;依次相邻的一所述缓冲层、一所述低温多晶硅层、一所述封装玻璃层及一所述偏光片连接形成一整体的显示模组。
其中,两层所述缓冲层之间粘接。
其中,所述双面显示屏还包括盖板,所述盖板通过背胶粘接在所述偏光片上。
其中,所述盖板位于内嵌有触控组件的所述封装玻璃层远离所述缓冲层的一侧。
其中,所述背胶为OCA光学胶或OCR光学胶。
其中,两层所述封装玻璃层中均内嵌有触控组件。
其中,所述缓冲层的厚度为0.16mm,所述低温多晶硅层的厚度为0.211mm,所述封装玻璃层的厚度为0.205mm,所述偏光片的厚度为0.163mm。
另一方面,本实用新型提供了一种移动终端,所述移动终端具有前述的双面显示屏。
本实用新型提供的双面显示屏及移动终端,低温多晶硅层可以实现自发光,从而不需要背光,以减小双面显示屏的厚度;利用两层低温多晶硅层、两层封装玻璃层、两层偏光片可以形成两个显示模组,从而实现双面显示;通过将触控组件嵌入到封装玻璃层中,将两个部件合为一体,可进一步降低双面显示屏的厚度,有利于移动终端设备做薄做轻。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型优选实施例提供的双面显示屏的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本实用新型优选实施例提供的一种移动终端,该移动终端具有双面显示屏。该移动终端可以为平面电脑、手机、PAD等带有显示屏的终端设备。如图1所示,双面显示屏包括两层缓冲层1a、1b、两层低温多晶硅层2a、2b、两层封装玻璃层3a、3b以及两层偏光片4a、4b。
两层缓冲层1a、1b相连。两层低温多晶硅层2a、2b分别设置在缓冲层相对的两侧。缓冲层1a与低温多晶硅层2a相连,缓冲层1b与两低温多晶硅层2b相连。
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