[实用新型]低损耗半柔同轴射频电缆有效
申请号: | 201520461064.1 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN204793141U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 李军;周炜 | 申请(专利权)人: | 深圳金信诺高新技术股份有限公司 |
主分类号: | H01P3/06 | 分类号: | H01P3/06 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 损耗 同轴 射频 电缆 | ||
技术领域
本发明涉及同轴电缆领域,尤其涉及一种低损耗半柔同轴射频电缆。
背景技术
半柔同轴射频电缆具有使用温度范围宽、使用频率高、衰减低、驻波系数小、屏蔽性能好、弯曲性能好等性能,在火箭、卫星、通信、导航、电子对抗、测控设备等使用射频信号的传输系统中得到了越来越广泛的应用。
如图1所示,一般地,半柔同轴射频电缆包括由内向外依次同轴设置的内导体1、绝缘体2、外导体3和护套4。其中,内导体1一般采用镀银铜或者镀银铜包钢制成;绝缘体2一般通过聚四氟乙烯挤出后进行完全高温烧结制成;外导体3一般采用镀锡铜丝编织并整体浸锡处理制成;护套4一般采用氟塑料或者低烟无卤材料制成。在这种半柔同轴射频电缆中,若绝缘体2采用完全烧结的聚四氟乙烯材料制成时,则该绝缘体2的介电常数一般约为2,采用这种绝缘体2的电缆的信号损耗相对比较大;而若绝缘体2采用未烧结的聚四氟乙烯材料制成时,则该绝缘体2的介电常数一般约为1.7,采用该绝缘体2的同轴电缆能很好的降低信号损耗。但是,未烧结的聚四氟乙烯绝缘体2中存在大量微孔结构,极大降低其耐弯曲性能;同时在外导体3整体浸锡时,绝缘体2因填充在微孔中的空气急剧挥发,会导致外导体3浸锡起包或者上锡不良。
发明内容
本发明针对在现有的半柔同轴射频电缆中,采用完全烧结的聚四氟乙烯绝缘体的电缆的信号损耗相对比较大;而电缆采用未烧结的聚四氟乙烯绝缘体时,绝缘体的弯曲性能极大地降低;同时,在外导体整体浸锡时,绝缘体因填充在微孔中的空气急剧挥发,会导致外导体浸锡起包或者上锡不良的问题,提出了一种具有低介电常数以及良好的耐弯曲性能的绝缘层的低损耗半柔同轴射频电缆。
本发明解决该技术问题的技术方案如下:
本发明提出了一种低损耗半柔同轴射频电缆,包括从内至外依次同轴设置的内导体、绝缘体、金属层以及编织浸锡层;
绝缘体包括未烧结的聚四氟乙烯内层和裹设在该聚四氟乙烯内层的外侧壁上的完全烧结的聚四氟乙烯外层。
在本发明上述的低损耗半柔同轴射频电缆中,内导体的直径为0.51mm-2.0mm。
在本发明上述的低损耗半柔同轴射频电缆中,绝缘体的厚度为0.5mm-2.5mm。
在本发明上述的低损耗半柔同轴射频电缆中,金属层为0.03mm-0.2mm厚的镀银铜带或者纯铜带。
在本发明上述的低损耗半柔同轴射频电缆中,编织浸锡层为整体浸锡后的镀锡铜编织丝;该编织浸锡层的厚度为0.4mm-0.7mm。
在本发明上述的低损耗半柔同轴射频电缆中,还包括裹设在编织浸锡层的外侧壁上的外护套。
在本发明上述的低损耗半柔同轴射频电缆中,外护套的厚度为0.40mm-0.8mm。
本发明的低损耗半柔同轴射频电缆采用瞬间超高温烧结方式在聚四氟乙烯绝缘体的外表面上形成完成烧结的聚四氟乙烯层,从而极大地提高了绝缘体的耐弯曲性能;同时,在绝缘层与外导体之间添加一层金属层,从而解决外导体整体浸锡时产生气泡的问题。本发明的低损耗半柔同轴射频电缆结构简单,具有实用性。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
图1为一种现有的半柔同轴射频电缆的示意图;
图2为本发明的低损耗半柔同轴射频电缆的示意图。
具体实施方式
本发明要解决的技术问题是:在现有的半柔同轴射频电缆中,采用完全烧结的聚四氟乙烯绝缘体的电缆的信号损耗相对比较大;而电缆采用未烧结的聚四氟乙烯绝缘体时,绝缘体的弯曲性能极大地降低;同时,在外导体整体浸锡时,绝缘体因填充在微孔中的空气急剧挥发,会导致外导体浸锡起包或者上锡不良。本发明解决该技术问题的技术思路为:采用瞬间超高温烧结方式在聚四氟乙烯绝缘体的外表面上形成完成烧结的聚四氟乙烯层,从而极大地提高了绝缘体的耐弯曲性能;同时,在绝缘层与外导体之间添加一层金属层,从而解决外导体整体浸锡时产生气泡的问题。
具体地,如图2所示,本发明提供了一种低损耗半柔同轴射频电缆,该低损耗半柔同轴射频电缆包括从内至外依次同轴设置的内导体10、绝缘体20、金属层30、编织浸锡层40以及外护套50。
在本发明的低损耗半柔同轴射频电缆中,内导体10可由镀银铜或者镀银铜包钢制成;具体地,在本实施例中,该内导体10可为镀银铜线、镀银铜包钢线等单线或绞线构成。该内导体10的直径一般为0.51mm-2.0mm。
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