[实用新型]发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201520467469.6 申请日: 2015-07-02
公开(公告)号: CN204760426U 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 徐宸科;时军朋;蔡培崧;林振端;黄昊;廖晨杰;赵志伟 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种封装结构,特别涉及一种发光二极管封装结构。

背景技术

发光二极管(英文为LightEmittingDiode,简称LED)是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有环保、亮度高、功耗低、寿命长、工作电压低、易集成化等优点,是继白炽灯、荧光灯和高强度放电(英文简称HID)灯之后的第四代新光源。

传统的LED封装结构为在金属支架上固晶、焊线、封荧光胶。近来使用倒装芯片级封装非常流行,这种封装不使用基板,也不需要焊线,直接在芯片上覆盖荧光胶,然后切割即可。它发光角较大,适合于球泡灯等应用,但是在其他一些应用上,如射灯、背光等方面,发光角大成为其缺点。

中国专利CN101872817公开了一种具胶墙的发光二极管封装结构,包括安置在陶瓷基板上的发光二极管芯片及胶墙,以及覆盖发光二极管芯片及胶墙的封装胶,胶墙具有封闭循环状以包围住发光二极管芯片,但不接触,胶墙的高度大于发光二极管芯片的高度,而在发光二极管芯片及胶墙之间的空间内填满透明材料所构成的封装胶,且封装胶的顶部具有凸起表面,可提供聚光作用,而凸起表面的边缘是对齐胶墙的顶部。该专利利用发光二极管芯片及胶墙之间的相对高度差及横向距离以决定发光角度,且不需额外配置凸透镜,因而可简化整体封装结构,并改善实际操作的可靠度。但是存在以下不足:(1)封装结构需要安装于陶瓷基板上,体积较大,不利于集成化;(2)胶墙为垂直状,不利于光线向上出射,影响取光效率。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种发光二极管封装结构,结合传统的SMD封装的带有碗杯的优点,且其不需要基板结构,成本降低,热阻降低,而且发光角类似朗伯发光,应用端的光学设计简单,同时可以实现较高的光效。

根据本实用新型的第一方面,发光二极管封装结构,其特征在于:

具有通孔的第一反光材料层;

倒装芯片,位于所述第一反光材料层之上,且所述倒装芯片的电极镶嵌于所述第一反光材料层的通孔;

第一透明材料层,包围所述倒装芯片除电极之外的侧表面;

第二反光材料层,包围所述第一透明材料层,其中所述第一透明材料层与所述反光材料层的交界面是斜面或弧面或不规则形貌,有利于使倒装芯片的光向上反射;

在上述结构之上覆盖波长转换材料层。

优选的,所述第二反光材料层的上表面与所述第一透明材料层的上表面、倒装芯片的上表面齐平,并定义前述上表面构成共表面。

优选的,所述波长转换材料层位于所述共表面之上。

优选的,所述第二反光材料层的底部内边缘与所述倒装芯片侧表面接触。

优选的,所述第二反光材料层的底部内边缘与所述倒装芯片侧表面存在一定的间隔。

优选的,所述第一透明材料层中不包含波长转换材料。

优选的,所述第一透明材料层中包含波长转换材料。

优选的,所述第一透明材料与所述第二反光材料层的交界面为斜面、弧面或者不规则形貌。

优选的,在所述第一透明材料层与所述第二反光材料层的交界面中插入一光学反射层。

优选的,所述波长转换材料层的上表面为平面,其厚度为5μm~200μm。

优选的,所述波长转换材料层的上表面有粗化。

优选的,所述波长转换材料层的上表面设有弧形结构。

优选的,所述波长转换材料层上设有光学透镜。

优选的,在所述共平面上设置一选择性光学膜,使得所述选择性光学膜介于所述共平面与波长转换材料层之间。

优选的,所述选择性光学膜的特性为:对于蓝光有较高的透射率,对于绿光、黄光和红光有较高的反射率。

优选的,所述倒装芯片的电极含有铜或金,其厚度为1μm~100μm。

优选的,在所述波长转换材料层上覆盖第二透明材料层。

根据本实用新型的第二方面,发光二极管封装结构,其特征在于:

具有通孔的第一反光材料层;

倒梯形结构的倒装芯片,位于所述第一反光材料层之上,且所述倒装芯片的电极镶嵌于所述第一反光材料层的通孔;

第二反光材料层,包围所述倒梯形结构的倒装芯片,其中所述第二反光材料层与所述倒装芯片的交界面形成光学杯,有利于使倒装芯片的光向上反射;

在上述结构之上覆盖波长转换材料层。

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