[实用新型]微分式达林顿型发射装置有效
申请号: | 201520472387.0 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN204993313U | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 杨远敏 | 申请(专利权)人: | 重庆尊来科技有限责任公司 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 401424 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微分 式达林顿型 发射 装置 | ||
1.微分式达林顿型发射装置,其特征是:由电池、发射开关、微分型达林顿式转换电路、三极管型变码控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成;
其中:电池的负极接微分式达林顿型发射装置的地线,电池的正极接发射开关的一端,发射开关的另一端为微分式达林顿型发射装置的电源;
编码集成电路的地址码中的一位地址码接为变动码,其余接为固定码;
微分型达林顿式转换电路的输出连接三极管型变码控制电路的输入,三极管型变码控制电路的输出连接编码集成电路的变动码,编码集成电路的输出连接射频电路;
微分型达林顿式转换电路由微分电路、达林顿电路组成;
微分电路由微分电容、放电二极管、触发电阻组成;
达林顿电路由达林顿一管、达林顿二管、基极对地电阻、集电极电阻组成;
微分电容的一端连接电源,微分电容的另一端接两路,一路接放电二极管到地线,一路接触发电阻到达林顿一管的基极,基极对地电阻接在地线与达林顿一管的基极之间,达林顿一管的发射极连接达林顿二管的基极,达林顿二管的发射极接地线,达林顿一管与达林顿二管的集电极接在一起,即是微分型达林顿式转换电路的输出,连接集电极电阻到电源;
三极管型变码控制电路的由基极控制电阻与控制三极管组成:基极控制电阻的一端即是三极管型变码控制电路的输入端,与微分型达林顿式转换电路的输出相接,基极控制电阻的另一端连接控制三极管的基极,控制三极管的发射极接电源,控制三极管的集电极即是三极管型变码控制电路的输出,连接编码集成电路的变动码;
射频电路由调制电路、高频电路、铜箔天线组成;
铜箔天线是∩形状,左右两条垂直铜箔用弧形铜箔吻接,其尺寸是,铜箔宽度为2毫米,左右两条垂直的铜箔长度为30毫米,两条垂直铜箔的间距为20毫米,吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米;
调制电路由调制电阻与调制三极管组成;
高频电路由晶振、调频电容、与调频电容并联的固定电容、旁路电容、去耦电容、高频发射管、高频发射管的基极电阻组成;
高频电路:晶振有三个端头,一个端头接铜箔天线的输入端,第二个端头接高频发射管的基极,第三个端头接高频发射管的发射极;
高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间,高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端;
铜箔天线的输入端与输出端之间接一个调频电容,调频电容并联一个固定电容;
旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间;
去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间。
2.根据权利要求1所述的微分式达林顿型发射装置,其特征是:微分电容是两个电解电容组成的无极电容的形式,一个电解电容的正极与另一个电解电容的正极相接,两个负极中的一个负极接电源,另一个负极接触发电阻到达林顿一管的基极。
3.根据权利要求1所述的微分式达林顿型发射装置,其特征是:控制三极管是PNP三极管。
4.根据权利要求1所述的微分式达林顿型发射装置,其特征是:编码集成电路的固定码的连接方式一是接地线,方式二是一部分接地线,一部分为悬浮。
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