[实用新型]CMOS全数字频率可调脉冲无线电超宽带发射机有效
申请号: | 201520477574.8 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN204795028U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 韦保林;陈田;徐卫林;韦雪明;段吉海 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H04B1/7176 | 分类号: | H04B1/7176;H04B1/7163;H04B1/40 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 陈跃琳 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 数字 频率 可调 脉冲 无线电 宽带 发射机 | ||
1.CMOS全数字频率可调脉冲无线电超宽带发射机,其特征在于:由OOK调制电路、延时网络、脉冲序列产生网络和天线组成;其中
OOK调制电路将输入数字信号DATA和时钟信号CLK进行处理,产生满足OOK调制要求的数字信号;
延时网络采用反相器延时的特点,利用输入与输出信号的延时间隔作为后继脉冲序列产生网络的输入信号,在这延时间隔时间段内,生成等时间宽度的单脉冲单元;
脉冲序列产生网络的每一级单脉冲信号产生电路产生一个单脉冲信号,所有单脉冲信号产生电路产生的脉冲信号组合成一个脉冲序列,该脉冲序列作为输出信号输出经由天线发出。
2.根据权利要求1所述的CMOS全数字频率可调脉冲无线电超宽带发射机,其特征在于:还进一步包括串接在OOK调制电路和延时网络之间的整型电路。
3.根据权利要求2所述的CMOS全数字频率可调脉冲无线电超宽带发射机,其特征在于:所述整型电路由2个反相器INV1和INV2串联而成,反相器INV1的输入端与OOK调制电路的输出端相连,反相器INV2的输出端与延时网络的输入端相连。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的CMOS全数字频率可调脉冲无线电超宽带发射机,其特征在于:
OOK调制电路由NMOS晶体管NM0、NM1,PMOS晶体管PM0和一个反相器INV0电路组成;NMOS晶体管NM0的漏极和PMOS晶体管PM0的源极相连后,形成OOK调制电路的数字信号CLK的输入端;NMOS晶体管NM0的栅极和反相器INV0的输入端相连后,形成OOK调制电路的时钟信号DATA的输入端;反相器INV0的输出端、PMOS晶体管PM0的栅极和NMOS晶体管NM1的栅极连接;NMOS晶体管NM1的源极接低电平;NMOS晶体管NM0的源极、PMOS晶体管PM0的漏极和NMOS晶体管NM1的漏极相连,形成OOK调制电路的输出端。
5.根据权利要求4所述的CMOS全数字频率可调脉冲无线电超宽带发射机,其特征在于:所述延时网络包括至少一级延时单元,每一级延时单元由2个延时可调反相电路串联而成;每个延时可调反相电路均由NMOS晶体管NM2、NM3、NM4、NM5、NM6和PMOS晶体管PM1、PM2、PM3、PM4组成;NMOS晶体管NM2的栅极形成延时可调反相电路的可调电压Vctrl的输入端;NMOS晶体管NM2的漏极、NMOS晶体管NM3的栅极、NMOS晶体管NM3的漏极、PMOS晶体管PM1的漏极、PMOS晶体管PM1的栅极、PMOS晶体管PM2的栅极和PMOS晶体管PM3的栅极相连;PMOS晶体管PM2的漏极、NMOS晶体管NM4的漏极、NMOS晶体管NM4的栅极和NMOS晶体管NM6的栅极相连;PMOS晶体管PM1的源极、PMOS晶体管PM2的源极和PMOS晶体管PM3的源极同时连接高电平;NMOS晶体管NM2的源极、NMOS晶体管NM3的源极、NMOS晶体管NM4的源极和NMOS晶体管N6的源极同时连接低电平;PMOS晶体管PM3的漏极连接PMOS晶体管PM4的源极;NMOS晶体管NM6的漏极连接NMOS晶体管NM5的源极;PMOS晶体管PM4的栅极和NMOS晶体管NM5的栅极相连后,形成延时可调反相电路的输入端;PMOS晶体管PM4的漏极和NMOS晶体管NM5的漏极相连后,形成延时可调反相电路的输出端。
6.根据权利要求5所述的CMOS全数字频率可调脉冲无线电超宽带发射机,其特征在于:通过每级延时生成电路中晶体管PM3、PM4、NM5、NM6的宽长比来调节反相器的反相延时时间。
7.根据权利要求5所述的CMOS全数字频率可调脉冲无线电超宽带发射机,其特征在于:所述延时网络包括三级延时单元,即由6个延时可调反相电路串联而成。
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