[实用新型]一种低通态压降整流装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种低通态压降(NMOSFET管)整流装置，属于整流装置技术领域。

背景技术

低通态压降(NMOSFET管)整流装置是机电控制中的重要控制设备，目前的整流装置中二极管导通压降大于1.4V，单只硅材料二极管子导通压降0.7V，在机电控制应用当中功率损耗多，散热量大。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种低通态压降整流装置，是一种通态压降只有几十毫(30-50mV)伏整流装置，具有低功率损耗的特点，采用低导通电阻(RDS(ON)<8mΩ)，使散热量减小。

本实用新型的技术方案是：

一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路、同步控制芯片、整流输出电路、输出指示电路、阻容吸收电路组成，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。

交流输入信号电路，采用降压变压器，对交流输入电压进行降压处理。

同步控制芯片接整流输出电路的4只NMOSFET管。

整流输出电路，主要由4只NMOSFET管组成桥式电路。

输出指示电路，由串接的电阻和发光二级管组成。

阻容吸收电路，由电阻和电容串联后再与一极性电容并联。

当给交流输入信号，通过变压器(T1)220VAC转成12-24VAC输入到同步芯片IN1、IN2端口，IN1、IN2接TVS(瞬变电压抑制二极管)保护电路，保证整个电路的安全。同步控制芯片接4只NMOSFET管子，依据交流输入频率(工频50Hz)，正半周0-1800(10mS)内2个NMOSFET同时导通，负半周同理另外2只NMOSFET管子导通。

整流输出接电阻、LED相连作为输出状态指示。

阻容吸收防止输出端的瞬间大电流损坏电路，整流输出电路相连。

VIN1、VIN2接交流输入信号(90-280VAC)，VOUT+、VOUT-是输出直流电。

本实用新型的工作过程时：输出接上负载，当有交流输入信号220VAC时，经过同步变压器输入到同步芯片取样，芯片控制4个NMOSFET管子，随着频率(50Hz)变化打开或是关断，与输出指示电路相连，输出指示电路LED灯亮。当断开交流输入信号时，输出指示电路灯都不亮，同步控制芯片和整流输出电路不工作，控制NMOSFET管子的通断来实现整流目的。

附图说明

图1为一种低通态压降整流装置的电路原理图。

图2为一种低通态压降整流装置的电路图。

图中：交流输入信号电路1、同步控制芯片2、整流输出电路3、输出指示电路4、阻容吸收电路5。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案进行具体阐述，需要指出的是，本实用新型的技术方案不限于实施例所述的实施方式，本领域的技术人员参考和借鉴本实用新型技术方案的内容，在本实用新型的基础上进行的改进和设计，应属于本实用新型的保护范围。

如图1-2所示，本实用新型实施例所述的一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路1、同步控制芯片2、整流输出电路3、输出指示电路4、阻容吸收电路5组成，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。

交流输入信号电路1，采用降压变压器，对交流输入电压进行降压处理。

同步控制芯片2接整流输出电路3的4只NMOSFET管。

整流输出电路3，主要由4只NMOSFET管组成桥式电路。

输出指示电路4，由串接的电阻和发光二级管组成。

阻容吸收电路5，由电阻和电容串联后再与一极性电容并联。

当给交流输入信号，通过变压器(T1)220VAC转成12-24VAC输入到同步芯片IN1、IN2端口，IN1、IN2接TVS(瞬变电压抑制二极管)保护电路，保证整个电路的安全。同步控制芯片接4只NMOSFET管子，依据交流输入频率(工频50Hz)，正半周0-1800(10mS)内2个NMOSFET同时导通，负半周同理另外2只NMOSFET管子导通。

整流输出接电阻、LED相连作为输出状态指示。

阻容吸收防止输出端的瞬间大电流损坏电路，整流输出电路相连。