[实用新型]基于激发逻辑控制的频率校正式数字选频系统

权利要求书

1.基于激发逻辑控制的频率校正式数字选频系统，其由A/D转换器，D/A转换器，与A/D转换器相连接的数字中频处理子系统，以及与D/A转换器相连接的频率校正单元组成，其特征在于：在数字中频处理子系统和频率频率校正单元之间还串接有激发逻辑控制单元；所述激发逻辑控制单元由功率放大器P3，功率放大器P4，与非门A1，与非门A2，与非门A3，电阻R7，电阻R8，电阻R9以及电阻R10组成；所述电阻R10串接在功率放大器P3的正极和输出端之间，功率放大器P3的正极则经电阻R7后与功率放大器P4的负极一起形成该激发逻辑控制单元的输入端、其负极则经电阻R8后与功率放大器P4的正极相连接；电阻R9则串接在功率放大器P4的正极和输出端之间；所述与非门A1的正极与功率放大器P3的输出端相连接、其负极则与与非门A2的输出端相连接、其输出端则与与非门A3的输出端一起形成该激发逻辑控制单元的输出端；所述与非门A2的正极与与非门A1的输出端相连接、其负极则与功率放大器P4的输出端相连接、输出端则与与非门A3的正极相连接；所述与非门A3的负极则与功率放大器P4的输出端相连接。

2.根据权利要求1所述的基于激发逻辑控制的频率校正式数字选频系统，其特征在于：所述频率校正单元由场效应管MOS1，乘法器，一端经电感L1后与场效应管MOS1的漏极相连接、另一端则经电阻R3后接地的电阻R2，N极与场效应管MOS1的源极一起作为该频率校正单元的输出端、P极则与场效应管MOS1的漏极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的N极相连接、P极则与场效应管MOS1的源极相连接的极性电容C1，与极性电容C1相并联的电阻R6，串接在场效应管MOS1的漏极和栅极之间的电阻R1，串接在场效应管MOS1的栅极和其源极之间的电流控制环路，以及输入端与电阻R2和电阻R3的连接点相连接、输出端则与场效应管MOS1的源极相连接的电压控制环路组成；所述乘法器的输出端与场效应管MOS1的栅极相连接、而其输入端则与电感L1和电阻R2的连接点一起形成该频率校正单元的输入端。

3.根据权利要求2所述的基于激发逻辑控制的频率校正式数字选频系统，其特征在于：所述的电流控制环路包括功率放大器P1，电阻R4以及二极管D2；所述电阻R4串接在功率放大器P1的负极与输出端之间，二极管D2的P极与功率放大器P1的输出端相连接、其N极则与场效应管MOS1的源极相连接，所述功率放大器P1的正极与乘法器的输出端相连接、其负极则与电阻R2和电感L1的连接点相连接。

4.根据权利要求3所述的基于激发逻辑控制的频率校正式数字选频系统，其特征在于：所述的电压控制环路包括功率放大器P2，电阻R5，二极管D3；所述电阻R5串接于功率放大器P2的负极和输出端之间，二极管D3的P极与功率放大器P2的输出端相连接、其N极则与场效应管MOS1的源极相连接，功率放大器P2的正极和负极均与电阻R2和电阻R3的连接点相连接。

5.根据权利要求4所述的基于激发逻辑控制的频率校正式数字选频系统，其特征在于：所述的数字中频处理子系统包括：数字下变频子单元，与数字下变频子单元相连接的接口单元，以及与接口单元相连接的数字上变频子单元。

6.根据权利要求5所述的基于激发逻辑控制的频率校正式数字选频系统，其特征在于：所述的数字下变频子单元包括：DT端双工器、下行下变频单元；接口单元包括：中继端接口单元、远端接口单元；数字上变频子单元包括：下行上变频单元、MT端双工器；所述的DT端双工器的输出信号依次通过下行下变频单元、中继端接口单元、远端接口单元、下行上变频单元、及MT端双工器。