[实用新型]一种新型高饱和磁密浇注互感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及互感器领域，尤其涉及10kV的一种新型高饱和磁密浇注互感器。

背景技术

目前，公知的10kV浇注互感器在1.9Un/√3(二次电压，132V)电压下，磁密已饱和，一旦系统发生单相接地故障，极有可能引发铁磁谐振，使系统故障扩大。局部放电在1.2Un，1.2Un/√3下局部放电达不到国家标准。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题，就是提出一种新型高饱和磁密浇注互感器，其在1.9Un/√3电压下，磁密仍在非饱和范围，减少引发铁磁谐振的可能性，而且局部放电在国家要求之内。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术采用以下技术方案：

一种新型高饱和磁密浇注互感器，包括环形铁芯，所述环形铁芯上设有切割口，所述切割口将环形铁芯切割成两个部分，所述环形铁芯的芯柱上套设有绝缘筒，所述绝缘筒上绕制有二次绕组，所述二次绕组上绕制有一次绕组，所述一次绕组和二次绕组之间具有绝缘层；所述环形铁芯呈阶梯状，环形铁芯为不同宽度的叠片叠合而成，环形铁芯的截面积为44-46cm²，所述二次绕组匝数为86匝，而一次绕组的匝数根据二次绕组和互感器的电压比而定。

本实用新型的切割口将环形铁芯切割成两个部分是为了方便将绕有二次绕组的绝缘筒套在环形铁芯的芯柱上，待绝缘筒套上之后再将环形铁芯的两个部分合拢并固定成一个整体使用。

作为优选地，为了进一步满足产品局部放电要求，所述一次绕组的端部设有半径为2毫米的电极，从而增大圆弧过渡直径，降低最高工作场强，使局部放电在1.2Um电压下小于50pC，在1.2Un/√3电压下小于10pC。

与现有技术相比，本实用新型具有的有益效果为：本实用新型使用安全，采用具有切割口的环形铁芯，减少磁滞损耗，并方便套上绝缘筒从而实现单独绕制绕组，即直接在绝缘筒上绕包。

附图说明

图1为本实用新型优选实施例的结构示意图；

图2为本实用新型优选实施例的环形铁芯的结构示意图。

图中：1-环形铁芯；2-二次绕组；3-一次绕组；4-切割口；5-绝缘筒；6-电极。

具体实施方式

为让本领域的技术人员更加清晰直观的了解本实用新型，下面将结合附图，对本实用新型作进一步的说明。

如图1-2所示为本实用新型的优选实施例。

一种新型高饱和磁密浇注互感器，包括环形铁芯1，二次绕组2以及一次绕组3，环形铁芯1为不同宽度的叠片叠合而成的阶梯状铁芯，环形铁芯1的截面积为44-46cm²，二次绕组2的匝数为86匝，一次绕组的匝数根据电压比而定。环形铁芯1上设有切割口4，切割口4将环形铁芯1切割成两个部分，环形铁芯1的芯柱上设有绝缘筒5，具体方法为，二次绕组2先绕制于绝缘筒5上，然后再将带有二次绕组2的绝缘筒5套设在环形铁芯1上，一次绕组3绕制于二次绕组2上，一次绕组3和二次绕组2之间具有绝缘层，本实用新型的切割口4将环形铁芯1切割成两个部分是为了方便绝缘筒5套在环形铁芯1的芯柱上，待绝缘筒5套上之后再将环形铁芯1的两个部分合拢并固定成一个整体使用；为了进一步满足产品局部放电要求，一次绕组3的端部设有半径为2毫米的电极6，从而增大圆弧过渡直径，降低最高工作场强，使局部放电在1.2Un电压下小于50pC，在1.2Un/√3电压下小于10pC。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。