[实用新型]一种MWT太阳能电池有效
申请号: | 201520499169.6 | 申请日: | 2015-07-09 |
公开(公告)号: | CN204927301U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 权微娟;王仕鹏;黄海燕;陆川 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱;孙文韬 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mwt 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池性电池领域,具体地说涉及一种MWT太阳能电池。
背景技术
金属穿孔卷绕技术(MetallizationWrapThrough,简称MWT)主要是通过将位于正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导到硅片背面,以减少遮光面积的方式来提高转换效率。该技术只需对现有硅基电池生产线的量产平台进行简单改造,即只增加一道激光穿孔工艺步骤,就可以实现,操作简单,成本较低,易于大面积推广。
目前,MWT电池正面主要采用4*4的点阵排列,即MWT电池的正面为为中心对称排列的图形,参考图1;其背面图形为轴对称的图形,参考图2。在组件制备过程中需要将电池片排布在导电背板上,导电背板上的图形与电池背面图形一一对应。排布电池片时,正面图形旋转90°后图形无任何变化。而背面图形旋转90°后电极位置将不能与导电背板上的导电孔正确对应。因此,在放置电池片时需要额外检查背面图形的位置,以确保背面图形的电极能够与导电背板上的导电孔匹配对应。上述操作不但增加了工艺步骤,还增加了电池片排布过程中出错的几率。
此外,随着丝网印刷技术突飞猛进的发展,正面网版细栅线的印刷宽度已经从100μm降到80μm、60μm、再到目前的40μm。细栅线的宽度越来越小,而在电流大小不变的情况下,细栅线越细,在细栅线上的功率损失就越多。所以目前常见的4*4个导电通孔的电池正面图形已经不能最大限度地收集电池产生的电流。为此我们需要增加导电通孔的数目,以此来增加电流的收集,减少细栅线上的功率损失。而导电孔数目的增加,显然会增加将背面图形的电极与导电背板上的导电通孔进行匹配对应的工艺难度,出错率也会随之大幅度上升。
因此需要一种能够解决上述工艺困难的MWT太阳能电池,在降低工艺难度和降低出错率的同时,还提高太阳能电池的效率。
实用新型内容
为了解决现有技术中的缺陷,降低MWT太阳能电池生产的工艺难度,提高太阳能电池效率,本实用新型提供了一种MWT太阳能电池。
根据本实用新型的一个方面,提供一种MWT太阳能电池,所述MWT太阳能电池包括边长为L的正方形太阳能电池片;
所述太阳能电池片被均匀划分为n*m个单元,n≠m;
在每个单元的中心点设置有导电通孔,所述导电通孔贯穿所述太阳能电池片;
所述太阳能电池片正面栅线收集的电流通过所述导电通孔传导到背面电极。
根据本实用新型的一个具体实施方式,n≥4,m≥5。
根据本实用新型的另一个具体实施方式,所述导电通孔垂直贯穿所述太阳能电池片。
根据本实用新型的又一个具体实施方式,所述导电通孔为圆柱形、圆台形、正方体或长方体。
本实用新型提供的MWT太阳能电池正面被平均分为n*m个单元,n≠m;每个单元的中心点为导电通孔。正面栅线收集的电流通过导电通孔传到到背面电极。由于正面为n*m(n≠m)排布,正面图形与背面图形一一对应。在电池排布时只需正面放置正确,就不会出现电池片背面导电通孔与导电背板上的导电通孔对应错误的状况。本实用新型提供的MWT太阳能电池制备简单、易获得;合格品率及产量高;太阳能电池的光电转换效率高。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1所示为现有的MWT太阳能电池的正面图形示意图;
图2所示为现有的MWT太阳能电池的背面图形示意图;
图3所示为根据本实用新型提供的一种MWT太阳能电池的一个具体实施方式的结构示意图。
附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。
具体实施方式
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。此外,本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。应当注意,在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本实用新型省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本实用新型。
参考图3,图3所示为根据本实用新型提供的一种MWT太阳能电池的一个具体实施方式的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的