[实用新型]一种高精度宽电流范围电流镜

权利要求书

1.一种高精度宽电流范围电流镜，其特征在于：包括参考电流输入部分、电流档位判断与控制逻辑、镜像电流输出部分；所述参考电流输入部分、镜像电流输出部分分别与所述电流档位判断与控制逻辑连接。

2.根据权利要求1所述的高精度宽电流范围电流镜，其特征在于：所述参考电流输入部分包括电流镜像晶体管和运算放大器AMP1，其中，所述电流镜像晶体管包含基本晶体管NM0和备用晶体管NM1、备用晶体管NM2、备用晶体管NM3，基本晶体管NM0和备用晶体管NM1、备用晶体管NM2、备用晶体管NM3的漏极互连接到基准电流Iref，基本晶体管NM0和备用晶体管NM1、备用晶体管NM2、备用晶体管NM3的源极互连接地，备用晶体管NM1的栅极设有开关SW10，备用晶体管NM2的栅极设有开关SW20，备用晶体管NM3的栅极设有开关SW30，开关SW10、开关SW20、开关SW30将备用晶体管NM1、备用晶体管NM2、备用晶体管NM3的栅极切换接地或连接基本晶体管NM1的栅极，备用晶体管NM1、备用晶体管NM2、备用晶体管NM3的开关控制信号依次为开关SWITCH1、开关SWITCH2、开关SWITCH3,运算放大器AMP1的负输入端接参考电压Vref，运算放大器AMP1的正输入端接电流镜像晶体管的公共漏端，运算放大器AMP1的输出端接基本晶体管NM0的栅极，参考电流输入部分的作用是提供镜像电流输出部分的VDS电压和VGS电压。

3.根据权利要求2所述的高精度宽电流范围电流镜，其特征在于：所述备用晶体管NM1通过开关SWITCH1与所述电流档位判断与控制逻辑连接，所述备用晶体管NM2通过开关SWITCH2与所述电流档位判断与控制逻辑连接，所述备用晶体管NM3通过开关SWITCH3与所述电流档位判断与控制逻辑连接。

4.根据权利要求2所述的高精度宽电流范围电流镜，其特征在于：所述算放大器AMP1的输出端与所述电流档位判断与控制逻辑连接。

5.根据权利要求2所述的高精度宽电流范围电流镜，其特征在于：镜像电流输出部分包括电流开关部分和电流镜像部分，电流开关部分包括运算放大器AMP2和开关管NM8，其中电流镜像部分包含基本晶体管NM4和备用晶体管NM5、备用晶体管NM6、备用晶体管NM7，基本晶体管NM4和备用晶体管NM5、备用晶体管NM6、备用晶体管NM7的漏极互连接到开关管NM8的源极，基本晶体管NM4和备用晶体管NM5、备用晶体管NM6、备用晶体管NM7的源极互连接地，备用晶体管NM5的栅极设有开关SW11，备用晶体管NM6的栅极设有开关SW21，备用晶体管NM7的栅极设有开关SW31，开关SW11、开关SW21、开关SW31将备用晶体管NM5、备用晶体管NM6、备用晶体管NM7的栅极切换接地或连接基本晶体管NM0的栅极，基本晶体管NM4的栅极接到基本晶体管NM0的栅极；运算放大器AMP2正输入端接到基本晶体管NM0的漏极，运算放大器AMP2的负输入端接开关管NM8的源极，运算放大器AMP2的输出端接到开关管NM8的栅极，开关管NM8的漏极接到电流输出Iout1，镜像电流输出部分的作用是根据参考电流输入部分的输入电流在晶体管上形成的VGS电压和VDS电压镜像到基本晶体管NM4、备用晶体管NM5、备用晶体管NM6、备用晶体管NM7上，形成输出电流Iout1。

6.根据权利要求5所述的高精度宽电流范围电流镜，其特征在于：所述电流档位判断与控制逻辑的VG端接到运算放大器AMP1的输出端，所述电流档位判断与控制逻辑的输出经开关SWITCH1接开关SW10、开关SW11的控制端，所述电流档位判断与控制逻辑的输出经开关SWITCH2接开关SW20、开关SW21的控制端，所述电流档位判断与控制逻辑的输出经开关SWITCH3接开关SW30、开关SW31的控制端。

7.根据权利要求6所述的高精度宽电流范围电流镜，其特征在于：所述电流档位判断与控制逻辑根据VG电压的大小来控制打开备用晶体管的个数，进而来实现电流档位的切换。