[实用新型]单刀六掷射频收发开关电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及射频收发开关电路技术领域，具体讲是一种单刀六掷射频收发开关电路。

背景技术

近年来，多模移动电话的激增已经大大增加了超小型的射频前端模块(FEMs)在天线(Ant)和多模式多频段射频收发机系统芯片(SoC)之间的需求。随着第三代(3G)和第四代(4G)系统规格的长期演进(LTE)，射频开关需要多标准频带的发送(Tx)和接收(Rx)功能。由于大多数智能手机因形状约束只使用一个天线，所以设计单刀多掷射频收发开关在射频前端领域已经成为研究的重点之一，而单刀六掷射频收发开关电路是其中之一。目前，所需的单刀六掷射频收发开关电路的性能要求已经变得更严格，包括更低的插入损耗(IL)，更高的隔离度，以及更高的功率处理能力，更高的线性度，更小的尺寸和更低的成本。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺陷，提供一种具有较小的尺寸和较低的成本，同时具有优良的线性度和隔离度的单刀六掷射频收发开关电路。

为解决上述技术问题，本实用新型提出一种单刀六掷射频收发开关电路，它包括天线，它还包括第一至十二MOS场效应管，第一MOS场效应管的S端、第二MOS场效应管的S端均与第一GSM发射端Tx1连接，第三MOS场效应管的D端、第四MOS场效应管的D端均与第二GSM发射端Tx2连接，第五MOS场效应管的D端、第六MOS场效应管的D端均与第一GSM接收端Rx1连接，第七MOS场效应管的S端、第八MOS场效应管的S端均与第二GSM接收端Rx2连接，第九MOS场效应管的D端、第十MOS场效应管的D端均与WCDMA发射端TRx1连接，第十一MOS场效应管的S端、第十二MOS场效应管的S端均与WCDMA接收端TRx2连接，第二MOS场效应管的D端、第四MOS场效应管的S端、第六MOS场效应管的S端、第七MOS场效应管的D端、第十MOS场效应管的S端、第十一MOS场效应管的D端均与天线连接，第一MOS场效应管的D端、第三MOS场效应管的S端、第五MOS场效应管的S端、第八MOS场效应管的D端、第九MOS场效应管的S端、第十二MOS场效应管的D端均与零电位参考点连接；各MOS场效应管的G端用于与通断控制信号连接；各MOS场效应管均设有P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管，其中深N阱和P阱浮空。

采用上述结构后，与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：这样设计后，不仅具有较小的尺寸和较低的成本，同时具有优良的线性度和隔离度。

作为改进，各MOS场效应管均为三阱结构的MOS晶体管，由于三阱结构的MOS晶体管制取工艺稳定成熟，所以在批量生产时，质量较为稳定可靠，从而更有利于本实用新型稳定性和可靠性的提高。

附图说明

图1为本实用新型单刀六掷射频收发开关电路的电路原理图。

图2为本实用新型单刀六掷射频收发开关电路的MOS场效应管的结构示意图。

图中所示，1、天线，2、第一MOS场效应管，3、第二MOS场效应管，4、第三MOS场效应管，5、第四MOS场效应管，6、第五MOS场效应管，7、第六MOS场效应管，8、第七MOS场效应管，9、第八MOS场效应管，10、第九MOS场效应管，11、第十MOS场效应管，12、第十一MOS场效应管，13、第十二MOS场效应管。

具体实施方式

下面对本实用新型作进一步详细的说明：