[实用新型]非对称射频收发开关电路

权利要求书

1.一种非对称射频收发开关电路，它包括天线OUT，其特征在于，它还包括第一MOS场效应管M1、第二MOS场效应管M2、第三MOS场效应管M3、第四MOS场效应管M4、第五MOS场效应管M5、第六MOS场效应管M6、第七MOS场效应管M7、第八MOS场效应管M8、第九MOS场效应管M9；第一MOS场效应管M1的G端串联电阻R2后、第二MOS场效应管M2的G端串联电阻R3后、第三MOS场效应管M3的G端串联电阻R4后、第四MOS场效应管M4的G端串联电阻R5后均与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与第一控制信号端gate1连接，第一MOS场效应管M1的D端和S端之间并联电阻R6，第二MOS场效应管M2的D端和S端之间并联电阻R7，第三MOS场效应管M3的D端和S端之间并联电阻R8，第四MOS场效应管M4的D端和S端之间并联电阻R9，电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9依序串联，第四MOS场效应管M4的S端与发射端IN1连接；第五MOS场效应管M5的G端串联电阻R11后、第六MOS场效应管M6的G端串联电阻R12后、第七MOS场效应管M7的G端串联电阻R13后、第八MOS场效应管M8的G端串联电阻R14后、第九MOS场效应管M9的G端串联电阻R15后均与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端与第二控制信号端gate2连接，第五MOS场效应管M5的D端和S端之间并联电阻R16，第六MOS场效应管M6的D端和S端之间并联电阻R17，第七MOS场效应管M7的D端和S端之间并联电阻R18，第八MOS场效应管M8的D端和S端之间并联电阻R19，第九MOS场效应管M9的D端和S端之间并联电阻R20，电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20依序串联，第九MOS场效应管M9的S端与接收端IN2连接；第一MOS场效应管M1的D端、第五MOS场效应管M5的D端均与天线OUT连接；各MOS场效应管均设有P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管，其中深N阱和P阱浮空。

2.根据权利要求1所述的非对称射频收发开关电路，其特征在于，各MOS场效应管均为三阱结构的MOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的非对称射频收发开关电路，其特征在于，各MOS场效应管的P阱串联电阻R后浮空。