[实用新型]一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器有效
申请号: | 201520510413.4 | 申请日: | 2015-07-14 |
公开(公告)号: | CN204834059U | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 程晓敏;胡阳芷;黄婷;关夏威;缪向水 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/26;H01L27/22 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 隔离 存储 阵列 结构 固态 存储器 | ||
1.一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器,其特征在于,包括M×N个上电极、N个下电极以及M×N个功能层;每个上电极只与一个功能层相连;所述功能层位于上电极与所述下电极之间;通过外部的控制信号选择X方向的第i个上电极和Y方向的第j个下电极,使得由第i个上电极、功能层和第j个下电极构成的存储单元工作;
沿着上电极的方向定义为X方向,沿着下电极的方向定义为Y方向,M、N均为大于等于2的整数,i为上电极的序号,i=1,2,……M×N,j为下电极的序号,j=1,2,……N。
2.如权利要求1所述的固态存储器,其特征在于,当读写操作时,读写电流只能流经一个存储单元。
3.如权利要求1所述的固态存储器,其特征在于,X方向与Y方向可互换,上电极与下电极可互换。
4.如权利要求1所述的固态存储器,其特征在于,所述功能层为阻变材料、铁电材料、磁阻多层膜材料或忆阻材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520510413.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:放射性有机废液处理系统
- 下一篇:一种可以制冷抗震的移动硬盘保护盒