[实用新型]一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器有效

专利信息
申请号: 201520510413.4 申请日: 2015-07-14
公开(公告)号: CN204834059U 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 程晓敏;胡阳芷;黄婷;关夏威;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/26;H01L27/22
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 廖盈春
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 隔离 存储 阵列 结构 固态 存储器
【权利要求书】:

1.一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器,其特征在于,包括M×N个上电极、N个下电极以及M×N个功能层;每个上电极只与一个功能层相连;所述功能层位于上电极与所述下电极之间;通过外部的控制信号选择X方向的第i个上电极和Y方向的第j个下电极,使得由第i个上电极、功能层和第j个下电极构成的存储单元工作;

沿着上电极的方向定义为X方向,沿着下电极的方向定义为Y方向,M、N均为大于等于2的整数,i为上电极的序号,i=1,2,……M×N,j为下电极的序号,j=1,2,……N。

2.如权利要求1所述的固态存储器,其特征在于,当读写操作时,读写电流只能流经一个存储单元。

3.如权利要求1所述的固态存储器,其特征在于,X方向与Y方向可互换,上电极与下电极可互换。

4.如权利要求1所述的固态存储器,其特征在于,所述功能层为阻变材料、铁电材料、磁阻多层膜材料或忆阻材料。

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