[实用新型]一种半导体集成电感

权利要求书

1.一种半导体集成电感，包括衬底、第一金属走线和第二金属走线，其特征在于，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面平行设置有至少两条第一金属走线，所述第二表面平行设置有至少一条第二金属走线，所述第一金属走线和第二金属走线包括首端和末端，所述第一金属走线的第一条的首端为电感的第一端口，所述第一金属走线的最后一条的末端为电感的第二端口，所述衬底设置有贯穿第一表面和第二表面的晶圆通孔，所述晶圆通孔内填充有导电金属材料，所述第一金属走线的第n条的末端通过晶圆通孔连接第二金属走线的第n条的首端，第二金属走线的第n条的末端通过晶圆通孔连接第一金属走线的第n+1条的首端。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电感，其特征在于，所述衬底为高阻衬底，可以为高阻Si衬底、GaAs衬底、InP衬底、高阻SOI衬底、玻璃衬底或者陶瓷衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电感，其特征在于，所述第一金属走线和第二金属走线的宽度为5um-50um，厚度为0.1um-20um，所述第一金属走线的间距和第二金属走线的间距为1um-20um。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电感，其特征在于，所述电感的第一端口和/或第二端口连接有用于倒扣封装的金属凸块。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电感，其特征在于，所述晶圆通孔的直径为20um-100um。

6.一种包括上述权利要求1或2或5所述的半导体集成电感的谐振网络，其特征在于，所述电感的第一端口连接金属凸块，第二端口连接电容的一个极板，所述电容的另一个极板连接金属凸块，所述电感和电容制作在第一芯片上，该第一芯片通过金属凸块倒扣封装在第二芯片上。

7.根据权利要求6所述的谐振网络，其特征在于，所述第二芯片贴装在封装基板上，所述第二芯片通过键合引线连接封装基板的相应引脚。

8.根据权利要求6所述的谐振网络，其特征在于，所述第一芯片上的电容为MIM电容，所述第一芯片采用IPD工艺。

9.根据权利要求6所述的谐振网络，其特征在于，所述第二芯片为具有有源电路的射频集成电路。

10.根据权利要求7所述的谐振网络，其特征在于，所述第二芯片上设置有多个贯穿第二芯片第一表面和第二表面的晶圆通孔，将其要引出到外部的信号端口连接到第二芯片的第二表面，并通过第二表面上的金属走线、再分布走线层连接到相应的金属凸块上，通过倒扣封装的方式贴装到封装基板上。