[实用新型]一种新型异质结太阳电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳电池，尤其涉及一种新型异质结太阳电池，属于太阳电池技术领域。

背景技术

太阳电池研究中通常采用晶体硅片表面织构技术来增强对入射光的吸收，进而提升电池光伏特性。然而织构以后的形貌特征对后续硅基薄膜的制备以及优良异质结界面的获得提出了较高的要求和挑战。如果通过薄膜制备技术在感光面形成有序的纳米陷光结构，必将为异质结电池的清洗工艺以及薄膜制备工艺提供更加广阔的优化空间。

发明内容

本实用新型提出了一种新型异质结太阳电池，正面采用纳米棒阵列结构形成发射极、衬底同型轻掺杂层交替分布的陷光结构，以减小载流子输运路径，利于载流子的收集；同时，提升光利用率，改善电池的电流特性。

为此，本实用新型采用如下技术方案：

一种新型异质结太阳电池，包括基体层(1)，其特征在于：所述基体层(1)的背面依次设置背面本征层薄膜(2)、重掺杂背面场层(3)、第一导电介质层(4)和金属电极(9)；基体层(1)的正面依次设置正面本征层薄膜(5)、与基体层(1)同型的轻掺杂纳米棒阵列(6)、发射极(7)、第二导电介质层(8)和金属电极(9)，所述纳米棒阵列(6)中的纳米棒间隔有序的分布在正面本征层薄膜(5)之上，在纳米棒阵列(6)间隙内部均匀包覆本征层薄膜(5)以及发射极(7)，在纳米棒阵列(6)顶部完全覆盖本征层薄膜(5)和发射极薄膜(7)，且所述轻掺杂纳米棒阵列(6)被正面本征层薄膜(5)完全包覆并与发射极(7)隔离。

进一步地，所述背面本征层薄膜(2)、正面本征层薄膜(5)、发射极(7)、重掺杂背面场层(3)采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术或者热丝化学气相沉积(HWCVD)技术制备。

进一步地，所述轻掺杂纳米棒阵列(6)采用掠射角沉积技术结合等离子体增化学沉积(GLAD-PECVD)或者掠射角沉积技术结合热丝化学气相沉积技术(GLAD-HWCVD)制备。

进一步地，所述背面本征层薄膜(2)、正面本征层薄膜(5)为非晶硅薄膜、微晶硅薄膜或者是由氧化硅和非晶硅薄膜构成的复合层薄膜。

进一步地，所述第一导电介质层(4)、第二导电介质层(8)是掺锡氧化铟、掺钨氧化铟或者是由二者组成的复合层导电介质。

进一步地，所述第一导电介质层(4)、第二导电介质层(8)是采用PVD、MOCVD或者磁控溅射技术制备而成。

进一步地，所述金属电极(9)采用丝网印刷技术制备低温银浆层，并在N₂氛围中烘干。

本实用新型的新型异质结太阳电池，具有如下有益效果：

1.感光面发射极与衬底同导电类型的纳米棒阵列形成共轴P-N结结构，有效减小了载流子输运路径，并且使得P-N结有效面积增加，助于载流子的收集；

2.纳米棒阵列结构有利于入射光的多次反射，进而提升光利用率，改善电池的电流特性。

附图说明

图1为本实用新型的新型异质结太阳电池的结构示意图。

图中，1为基体层，2为背面本征层薄膜，3为重掺杂背面场层，4为第一导电介质层，5为正面本征层薄膜，6为轻掺杂纳米棒阵列，7为发射极，8为第二导电介质层，9为金属电极。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好的理解本实用新型方案，下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的描述，本实用新型中与现有技术相同的部分将参考现有技术。

在本实施例中，采用N型硅衬底作为基体层1。

如图1所示，本实用新型的新型异质结太阳电池，包括基体层1，所述基体层1的背面依次设置背面本征层薄膜2、重掺杂背面场层3、第一导电介质层4和金属电极9；基体层1的正面依次设置正面本征层薄膜5、N型的轻掺杂纳米棒阵列6、发射极7、第二导电介质层8和金属电极9，在纳米棒阵列6间隙内部均匀包覆本征层薄膜5以及发射极7，在纳米棒阵列6顶部完全覆盖本征层薄膜5和发射极薄膜7，且所述轻掺杂纳米棒阵列6被正面本征层薄膜5完全包覆并与发射极7隔离。轻掺杂纳米棒阵列6是与基体层1掺杂类型相同的纳米棒结构，纳米棒间隔有序的分布在正面本征层薄膜之上，通过改变掠射角的大小可以实现控制间隔大小和有序度。

背面本征层薄膜2、正面本征层薄膜5、发射极7、重掺杂背面场层3采用等离子体增强化学气相沉积技术制备；轻掺杂纳米棒阵列6采用掠射角沉积技术结合等离子体增化学沉积技术制备。