[实用新型]一种低驻波比高交叉极化馈源头有效

专利信息
申请号: 201520517132.1 申请日: 2015-07-17
公开(公告)号: CN204793212U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 刘扬清;黄俊;余鑫光 申请(专利权)人: 桂林安德立通信技术有限公司
主分类号: H01Q13/02 分类号: H01Q13/02
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 杨雪梅
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 驻波 比高 交叉 极化 馈源
【权利要求书】:

1.一种低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:馈源头包括辐射口(1)、腔体(2)和90度转换器(4);腔体(2)的一端与辐射口(1)连接,另一端与90度转换器(4)连接,腔体(2)内设有隔离针(8)、圆矩转换器(3)和凹槽(10);90度转换器(4)与腔体(2)内的圆矩转换器(3)连接,腔体(2)上还设有第一端口(11),90度转换器(4)上设有第二端口(12)。

2.根据权利要求1所述的低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:所述第一端口(11)和第二端口(12)在同侧。

3.根据权利要求1所述的低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:所述辐射口(1)设有密封圈(7),辐射口(1)和腔体(2)通过螺钉(6)连接,辐射口(1)和腔体(2)之间设有隔离膜(5),隔离膜(5)通过密封胶置于两者之间。

4.根据权利要求1所述的低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:所述圆矩转换器(3)与腔体(2)通过销钉(9)连接。

5.根据权利要求1所述的低驻波比高交叉极化馈源头,其特征在于:所述90度转换器(4)与腔体(2)通过螺钉(6)连接,90度转换器(4)与腔体(2)的连接处设有密封圈(7)密封。

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