[实用新型]一种检测薄膜太阳能电池刻蚀效果的装置有效
申请号: | 201520517314.9 | 申请日: | 2015-07-17 |
公开(公告)号: | CN204792707U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 张普东 | 申请(专利权)人: | 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 郭禾苗 |
地址: | 251200 山东省德州*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 薄膜 太阳能电池 刻蚀 效果 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏电池领域,特别涉及一种检测薄膜太阳能电池刻蚀效果的装置。
背景技术
在薄膜太阳能电池生产过程中,将镀有α-Si:H膜层的导电玻璃进行激光(或机械)二(P2)刻蚀用来预留连接子电池的导电通道,然后进行PVD工艺以完成背电极的镀膜,最后进行激光(或机械)三(P3)的刻蚀用来分割子电池,形成串联结构,提高芯片电压,这一过程是整个电池生产技术的关键步骤之一。在刻蚀过程中不可避免的会出现刻蚀不良的情况。具体目前在P2、P3刻蚀工艺中易产生以下问题:1、刻蚀P1与P2相交、P1与P3相交、P2与P3相交、P3刻蚀不良,上述刻蚀相交和P3刻蚀不良均会造成节间电阻异常(偏高或偏低,视不良情况而定)。2、刻蚀工艺过程中,由于刻蚀的特殊性,产线员工及质检员无法做到每一个电池都检查,容易出现检测不及时导致出现批量不良。
另外,目前刻蚀P1、P2、P3均采用员工自检和质检人员抽检两种方式,由于刻蚀技术的特殊性,线宽、线距达到微米级,员工很难做到用肉眼观察不良,而且目前的自检和抽检时间间隔较长,发现不良时有可能已经出现批量不良,同时返工浪费物料及产能,甚至造成无法返工。所以刻蚀工艺过程的不良是不可忽略的难题。基于目前公司设备及人员检查措施无法做到实时监控,特提出一种实时检测激光(或机械)刻蚀效果的装置。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是如何克服现有技术的上述缺陷,提供一种检测薄膜太阳能电池刻蚀效果的装置。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:
本一种检测薄膜太阳能电池刻蚀效果的装置,包括:
支架,其由面板和支撑腿组合而成;
下压气缸,其安装于面板下方;
木制探针面板,其安装于下压气缸下方;
n+2支单排探针,其均布于木制探针面板下方,用于测量n节电池的节间电阻;
检测电路,其与n+2支单排探针电连接;
报警装置,其与检测电路电连接;
显示器,其安装于支架的面板上方,且连接检测电路,用于显示检测电路的测量值。
作为优化,所述下压气缸为两个,分别安装于面板的左下方和右下方。
作为优化,所述n+2支单排探针与n节电池芯片接触处圆滑设计,且采用铜质材料。
作为优化,所述n+2支单排探针均为弹性收缩性探针。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型,结构简单、设计科学、使用方便,可实时检测薄膜太阳能电池的刻蚀效果,有效解决激光刻蚀相交和P3刻蚀不良等问题,不会影响产品质量,具有较好的实际应用价值和推广价值。
附图说明
下面结合附图对本一种检测薄膜太阳能电池刻蚀效果的装置作进一步说明:
图1是本一种检测薄膜太阳能电池刻蚀效果的装置的结构示意图。
图中:1为支架、1.1为面板、1.2为支撑腿、2为下压气缸、3为木制探针面板、4为探针、5为显示器。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下参照附图并举实施例,对本实用新型进一步详细说明。
本一种检测薄膜太阳能电池刻蚀效果的装置,通过探针自动测量芯片电池的节间电阻并与设定好的标准值进行比较,来实时检测刻蚀效果。
如图1所示,本一种检测薄膜太阳能电池刻蚀效果的装置,包括:
支架1,其由面板1.1和支撑腿1.2组合而成;
下压气缸2,其安装于面板1.1下方;
木制探针面板3,其安装于下压气缸2下方;
n+2支单排探针4,其均布于木制探针面板3下方,用于测量n节电池的节间电阻;
检测电路,其与n+2支单排探针4电连接,具有采集、运算和控制输出功能;
报警装置,其与检测电路电连接;
显示器5,其安装于支架1的面板1.1上方,且连接检测电路,用于显示检测电路的测量值。
如此设计,通过下压气缸使n+2支单排探针自动下压自动测量n节电池的节间电阻,当检测电路检测到测量值高于或低于标准值时,报警装置立即报警,通过实时自动检测刻蚀工艺减少或避免由于刻蚀不良而造成的产品缺陷。另外,检测电路的测量值通过显示器实时显示,使用很方便。
具体的,所述下压气缸2为两个,分别安装于面板1.1的左下方和右下方。如此设计,便于均布下压n+2支单排探针,效果较好,提高使用便利性。
具体的,下压方式采用CDA气源的气缸下压方式。如此设计,效果较好。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司,未经山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520517314.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双工位二极管油墨标记装置
- 下一篇:一种在线检测硅片装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造