[实用新型]双向信号光磁隔离装置及双向信号光磁隔离集成芯片

权利要求书

1.一种双向信号光磁隔离装置，其特征在于：包括光电耦合器和电磁耦合器，

所述光电耦合器的光发射元件分别与第一电压端和第一数据端(DATA1)串接，光电耦合器的光敏元件的数据输出端通过第一反向截止元件与第二数据端(DATA2)串接；

所述电磁耦合器的磁发射元件分别与第二电压端和第二数据端(DATA2)串接，电磁耦合器的磁敏元件的数据输出端通过第二反向截止元件与第一数据端(DATA1)串接；

所述光电耦合器的光敏元件的数据输出端与所述电磁耦合器的磁发射元件的电压输入端相连，所述电磁耦合器的磁敏元件的数据输出端与所述光电耦合器的光发射元件的电压输入端相连；光电耦合器的光发射元件的电压输入端和输出端之间串联有第一激励元件；电磁耦合器的磁发射元件的电压输入端和输出端之间串联有第二激励元件。

2.根据权利要求1所述的双向信号光磁隔离装置，其特征在于：所述光电耦合器的光发射元件与所述第一电压端的连接线路上设有第一负载元件；

和/或所述电磁耦合器的磁发射元件与所述第二电压端的连接线路上设有第二负载元件。

3.根据权利要求2所述的双向信号光磁隔离装置，其特征在于：上述双向信号光磁隔离装置中，所述第一激励元件、第二激励元件、第一反向截止元件及第二反向截止元件为二极管、三极管、继电器或场效应管。

4.根据权利要求1-3任一项所述的双向信号光磁隔离装置，其特征在于：上述双向信号光磁隔离装置中，所述光电耦合器为带反馈端的线性光电耦合器，所述电磁耦合器为带反馈端的线性电磁耦合器；所述光发射元件为发光二极管，所述光敏元件为二极管型、三极管型、复合三极管型或者金属陶瓷高速光电耦合器，电磁耦合器的磁发射元件为线圈或者隔离信号变压器的单侧；磁敏接收元件为霍尔开关或带霍尔传感器的半导体开关。

5.一种双向信号光磁隔离集成芯片，其特征在于：该集成芯片包括至少一个双向信号光磁隔离装置，所述双向信号光磁隔离装置包括：光电耦合器和电磁耦合器，

所述光电耦合器的光发射元件分别与第一电压端和第一数据端(DATA1)串接，光电耦合器的光敏元件的数据输出端通过第一反向截止元件与第二数据端(DATA2)串接；

所述电磁耦合器的磁发射元件分别与第二电压端和第二数据端(DATA2)串接，电磁耦合器的磁敏元件的数据输出端通过第二反向截止元件与第一数据端(DATA1)串接；

所述光电耦合器的光敏元件的数据输出端与所述电磁耦合器的磁发射元件的电压输入端相连，所述电磁耦合器的磁敏元件的数据输出端与所述光电耦合器的光发射元件的电压输入端相连；光电耦合器的光发射元件的电压输入端和输出端之间串联有第一激励元件；电磁耦合器的磁发射元件的电压输入端和输出端之间串联有第二激励元件。

6.根据权利要求5所述的双向信号光磁隔离集成芯片，其特征在于：所述光电耦合器的光发射元件与所述第一电压端的连接线路上设有第一负载元件；

和/或所述电磁耦合器的磁发射元件与所述第二电压端的连接线路上设有第二负载元件。

7.根据权利要求6所述的双向信号光磁隔离集成芯片，其特征在于：所述第一激励元件、第二激励元件、第一反向截止元件及第二反向截止元件为二极管、三极管、继电器或场效应管。

8.根据权利要求7所述的双向信号光磁隔离集成芯片，其特征在于：所述光电耦合器为带反馈端的线性光电耦合器，所述电磁耦合器为带反馈端的线性电磁耦合器；所述光发射元件为发光二极管，所述光敏元件为二极管型、三极管型、复合三极管型或者金属陶瓷高速光电耦合器，电磁耦合器的磁发射元件为线圈或者隔离信号变压器的单侧；磁敏接收元件为霍尔开关或带霍尔传感器的半导体开关。

9.根据权利要求5-8任一项所述的双向信号光磁隔离集成芯片，其特征在于：当有两个以上的双向信号光磁隔离装置时，所述两个以上的双向信号光磁隔离装置并联连接。

10.根据权利要求5-8任一项所述的双向信号光磁隔离集成芯片，其特征在于：当有两个以上双向光磁信号隔离装置时，所述两个以上双向光磁信号隔离装置的第一电压端相同并且连接到同一电压端，和/或所述两个以上双向光磁信号隔离装置的第二电压端相同且连接到异于第一电压端的同一电压端。