[实用新型]一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸有效
| 申请号： | 201520519698.8 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN204857685U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 卢虹 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 许必元 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆片 倾斜 腐蚀 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸，包括腐蚀缸体(1)和片架(2)，其特征在于：在所述腐蚀缸体(1)的底部设有一垫板(5)，在所述垫板(5)底部的一端设有垫脚(4)，所述垫板(5)通过所述垫脚(4)与所述腐蚀缸体(1)的底面形成一倾斜角度，所述片架(2)置于所述垫板(5)的上方。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸，其特征在于：所述腐蚀缸体(1)的高度是片架(2)高度的1.5倍。
3.根据权利要求1所述的一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸，其特征在于：所述垫板(5)为长方形板状结构，垫板(5)上设有间隔均匀的圆柱形通孔，垫板(5)的面积略小于腐蚀缸体(1)的截面积。
4.根据权利要求1所述的一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸，其特征在于：所述垫脚(4)通过胶接方式固定在垫板(5)的底部，垫脚(4)的数目为2个。
5.根据权利要求1所述的一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸，其特征在于：所述垫板(5)与腐蚀缸体(1)底面形成的倾斜角度的角度范围为10～15°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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