[实用新型]一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种多晶硅生长工艺中承载硅片用的舟，具体为卧式背封炉低压化学气相沉积多晶硅工艺中用的能减少多晶硅崩边的硅片载体装置—舟。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，对集成电路基底材料之一的单晶硅抛光片洁净度的要求不断提高，因此外吸杂工艺使用背面生长多晶硅替代洁净度相对较差的背面软/硬损伤也就越来越多。在生长多晶硅工艺过程中，发现该工艺的收率较低，其中崩边是损失较高的主要原因之一，如何减少崩边，提高收率是该工艺人员及厂家需要重点解决的问题。

在解决生长多晶硅工艺崩边问题的过程中发现产生崩边的原因主要是因为生长多晶的工艺气体硅烷弥散性较好，在多晶硅的生长过程中硅片与其载体——舟的接触处也生长了一定厚度的多晶层，该多晶层把硅片与舟粘结在一起，当粘结力大到一定程度时，一旦硅片与舟分离，就有可能把与舟接触处的硅片粘接掉一块，从而在硅片上产生崩边。目前，卧式背封炉的低压化学气相沉积多晶硅生长工艺中，现有舟与硅片之间接触面积较大，两者接触处生长的多晶层增大了硅片与舟之间的粘结力，从而增加崩边的几率。另外，舟与硅片多为四点接触并定位，若舟与硅片接触的四点不在一个平面内，再加上生长的多晶较脆，因变形受力也容易产生崩边。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟，其能够减少多晶背封后硅片与舟之间的粘结力，以及硅片在舟槽内的变形，从而减少崩边的发生。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案是：一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟，包括瓦片、设置在瓦片内的上槽棒和下槽棒，以及设置在瓦片底部的脚棒和舟插管，所述上槽棒设置为两个，下槽棒设置为一个并位于瓦片内底部的中心位置，在瓦片内下槽棒的两侧对称设有两个支撑棒，硅片通过上槽棒和下槽棒上开设的定位槽定位，并支撑在两个支撑棒上，两支撑棒的支撑面均为圆弧面，圆弧支撑面上设有磨砂层，该磨砂层上均布有颗粒状的凸起，以使硅片与两支撑棒之间的接触为多点接触。

有益效果：本实用新型在瓦片内设置两个支撑棒，用于对硅片进行支撑，将支撑棒的支撑面设置为圆弧形面，并设置磨砂层，以将硅片与两支撑棒之间的接触设计为多点接触，这样减少了硅片与舟的接触面积，从而减少了多晶硅生长工艺中硅片与舟之间的粘结力，进而减少了崩边现象。下槽棒与两个上槽棒一起通过其上面开设的定位槽对硅片形成三点定位，两个支撑棒对硅片形成多点支撑，这样减少了硅片变形的现象，降低了崩边的几率。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为将本实用新型定位在倒片机上进行倒片的状态图。

图中标记为：1、上槽棒，2、下槽棒，3、支撑棒，4、脚棒，5、瓦片，6、舟插管，7、硅片，8、定位棒，9、磨砂层，10、叉子，11、夹子。

具体实施方式

如图所示，一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟，包括瓦片5、设置在瓦片5内的上槽棒1和下槽棒2，以及设置在瓦片5底部的脚棒4和舟插管6，所述上槽棒1设置为两个，下槽棒2设置为一个并位于瓦片5内底部的中心位置，在瓦片5内下槽棒2的两侧对称设有两个支撑棒3，硅片7通过上槽棒1和下槽棒2上开设的定位槽定位，并支撑在两个支撑棒3上，上槽棒1和下槽棒2对硅片7形成三点定位，以避免舟中相邻硅片倾斜接触，两个支撑棒3对硅片进行支撑。两支撑棒3的支撑面均为圆弧面，可将支撑棒3设为圆柱形棒，圆弧支撑面上设有磨砂层9，该磨砂层9上均布有颗粒状的凸起，以使硅片7与两支撑棒3之间的接触为多点接触，磨砂层9的设置明显降低了硅片与舟之间的接触面积，减少了多晶背封后硅片与舟之间的粘结力，进而减少了崩边现象。

所述瓦片5的底部设有两个定位棒8，用于在倒片过程中将舟整体定位在倒片机的叉子10上，自动倒片机的夹子11夹起硅片7将其放置在舟内，避免人工操作动作不一致造成的崩边风险。