[实用新型]一种PVT法生长碳化硅晶体扩大直径控制界面的坩埚结构有效
| 申请号： | 201520529973.4 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN204982130U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 张云伟;靳丽婕 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市通州*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 碳化硅 晶体 扩大 直径 控制 界面 坩埚 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种PVT法生长碳化硅晶体扩大直径控制界面的坩埚结构，其特征在于，该坩埚结构包括：坩埚本体、放肩盖和籽晶托；在所述坩埚本体上扣合有所述放肩盖，放肩盖的中部设置有上下通透的空心区域，在空心区域的侧壁上设置有环形肩台，所述肩台的内径小于籽晶直径，所述籽晶托将籽晶压置在肩台上。
2.如权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于，所述肩台下方的空心区域形成喇叭型扩口，该扩口的上、下两部分锥度不同，扩口上部的锥度大于下部的锥度。
3.如权利要求2所述的坩埚结构，其特征在于，所述扩口上部的顶角为37°-67°之间，扩口下部的顶角为12°-14°。
4.如权利要求2所述的坩埚结构，其特征在于，所述扩口上部沿轴线延伸3-6mm，其直径放径至大于籽晶直径4mm。
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