[实用新型]一种MOSFET芯片封装结构有效
| 申请号： | 201520531658.5 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN204792802U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 曹凯;谢皆雷;罗立辉;吴超 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 胡小永 |
| 地址： | 315327 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOSFET芯片封装结构，封装结构包括单颗MOSFET芯片(100)，载板(500)，其特征在于，所述单颗MOSFET芯片(100)正面通过其上的凸点(400)与载板(500)上的载板焊盘(501)进行连接，且所述单颗MOSFET芯片(100)开有一沟槽(802)，芯片背面的导电体(800)通过所述沟槽(802)的侧壁被引导经过填充物(600)中的通孔(801)，进而与所述载板焊盘(501)进行连接，所述填充物(600)填充在单颗MOSFET芯片(100)和载板(500)之间。
2.如权利要求1所述的MOSFET芯片封装结构，其特征在于，所述单颗MOSFET芯片(100)上的所述凸点(400)包括单一结构或多层结构，成分包括单一金属或金属合金。
3.如权利要求1所述的MOSFET芯片封装结构，其特征在于，所述载板(500)为基板、PCB板或者金属框架。
4.如权利要求1所述的MOSFET芯片封装结构，其特征在于，所述MOSFET芯片的电极面还包括一层绝缘保护层(200)。
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