[实用新型]连接结构体有效
申请号: | 201520532250.X | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN204927244U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 森谷敏光;岩井慧子;川上晋;有福征宏;稗岛华世 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01R4/04 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;李家浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及连接结构体。
背景技术
以往,在例如液晶显示器与带载封装(TCP)的连接、柔性印刷基板(FPC)与TCP的连接、或FPC与印刷配线板的连接中,使用在粘接剂膜中分散有导电粒子的各向异性导电性膜。此外,在将半导体硅芯片安装于基板时,也进行将半导体硅芯片直接安装于基板的所谓玻璃上芯片(COG)代替以往的引线接合,在此也使用了各向异性导电性膜。
近年来,随着电子设备的发展,不断进行配线的高密度化、电路的高功能化。其结果是,要求电极之间的间隔成为例如小于或等于15μm的连接结构体,电路构件的凸块电极也逐渐小面积化和小间隔化。对于这样的凸块连接而言,为了得到稳定的电连接,需要使充分数量的导电粒子介于凸块电极和基板侧的电路电极之间。
针对这样的课题,例如在专利文献1(日本特开平6-45024号公报)以及专利文献2(日本特开2003-49152号公报)中,进行了将各向异性导电性膜中的导电粒子小径化而提高粒子密度的方法、使用具有含导电粒子的粘接剂层和绝缘性粘接剂层这两层结构的各向异性导电性膜的方法。此外,例如在专利文献3(日本特开2010-027847号公报)以及专利文献4(日本特开2012-191015号公报)中,在基板上设置了妨碍各向异性导电性膜中的导电粒子流动的壁、突起,实现了凸块电极和电路电极之间的导电粒子的捕获效率提高。进而,在专利文献5(日本特开2011-109156号公报)中,规定了导电粒子的平均粒径等,并且公开了导电粒子以一定比例偏集于基板侧的连接结构体。
另一方面,专利文献6(日本特开2001-240816号公报)中,公开了在具有含有导电粒子的粘接剂层和不含导电粒子的绝缘性粘接剂层这两层结构的各向异性导电性膜中,将含有导电粒子的粘接剂层配置于IC侧的连接结构体。此外,在专利文献7(日本特开平5-206208号公报)中,公开了利用使导电粒子偏集于与IC的凸块周边部对应的部位的各向异性导电性膜的连接结构。
实用新型内容
另外,使用各向异性导电性膜将凸块电极和电路电极连接时,有时凸块电极相对于电路电极会在安装面的面内方向产生位置偏离。认为:如果产生凸块电极与电路电极的位置偏离,则由于原本对凸块电极与电路电极的电连接没有帮助的导电粒子,使得电路电极与邻接的其他电极电连接,导致电路短路。
本实用新型为了解决上述课题而完成,其目的在于,提供即使在产生了电极的位置偏离的情况下也能够抑制电路短路的连接结构体。
为了解决上述课题,本实用新型所涉及的连接结构体的特征在于,其是通过含有导电粒子的各向异性导电性膜的固化物将排列有第一电极的第一电路构件和排列有与第一电极相比厚度小的第二电极的第二电路构件连接而成的连接结构体,在各向异性导电性膜的固化物中,位于第一电极之间的中央区域的导电粒子的90%以上位于从第一电路构件的安装面至导电粒子平均粒径的200%以下的范围和相当于第一电极厚度的一半的范围中的任一较大的范围内。
在该连接结构体中,关于各向异性导电性膜的固化物,位于第一电极之间的中央区域的导电粒子的90%以上位于从第一电路构件的安装面至导电粒子平均粒径的200%以下的范围和相当于第一电极厚度的一半的范围中的任一较大的范围内。因此,即使第一电极相对于第二电极产生了位置偏离,也能够防止第二电极与邻接的其他电极通过导电粒子而电连接,能够抑制电路的短路。
附图说明
图1为表示本实用新型所涉及的连接结构体的一个实施方式的示意截面图。
图2为表示第一电路构件中凸块电极的排列的一个例子的示意俯视图。
图3为图1所示的连接结构体的重点部放大示意截面图。
图4为表示各向异性导电性膜的一个实施方式的示意截面图。
图5为表示图1所示的连接结构体的制造工序的示意截面图。
图6为表示图5的后续工序的示意截面图。
图7为表示图4所示的各向异性导电性膜的制造工序的示意截面图。
图8为在比较例所涉及的连接结构体中,在凸块电极与电路电极产生了位置偏离的情况下的重点部放大示意截面图。
图9为在实施例所涉及的连接结构体中,在凸块电极与电路电极产生了位置偏离的情况下的重点部放大示意截面图。
图10为实施例1所涉及的连接结构体的截面的扫描型电子显微镜照片。
图11为比较例1所涉及的连接结构体的截面的扫描型电子显微镜照片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成株式会社,未经日立化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520532250.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:碳载纯化余热利用节能装置
- 下一篇:袋装饲料的输送机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造