[实用新型]一种抗电位诱导衰减的钝化炉使用吸笔结构有效
申请号: | 201520532658.7 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN204792746U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 陈跃;罗茂盛 | 申请(专利权)人: | 江阴鑫辉太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 杜丹盛 |
地址: | 215434 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电位 诱导 衰减 钝化 使用 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产的技术领域,具体为一种抗电位诱导衰减的钝化炉使用吸笔结构。
背景技术
在晶硅太阳能电池组件应用领域,PID(电位诱导衰减)效应越来越引起大家的关注与重视。PID(电位诱导衰减)效应是指组件长期在高系统偏压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,使电池表面的钝化效果恶化,导致填充因子、短路电流、开路电压降低,从而组件性能降低,功率损失可高达50%以上。对于p型晶硅电池,PID最容易发生在高温、潮湿、负系统偏压下。
目前市场上,电池端主要通过在硅片表面镀二氧化硅膜来消除PID效应。根据二氧化硅膜产生方式及原理的不同,可通过N2O辉光沉积及紫外钝化实现。由于N2O辉光沉积的生产成本相对较高,主流方向是通过紫外钝化来实现抗PID。
紫外钝化是指通过紫外光激发氧气生成臭氧,臭氧氧化硅片表面,生成0.5nm厚度的二氧化硅。由于二氧化硅的强吸附性,极易吸附灰尘,故使用常规吸笔进行装卸操作时,极易产生吸笔印,影响电池片外观,产生大量不良片。
发明内容
针对上述问题,本实用新型提供了一种抗电位诱导衰减的钝化炉使用吸笔结构,其不会在电池片表面产生吸笔印,确保产品外观。
一种抗电位诱导衰减的钝化炉使用吸笔结构,其特征在于:其包括石英吸笔本体,所述石英吸笔本体的吸持部分的外端面分别依次粘贴有内层海绵垫、外层高温布垫片,所述内层海绵垫对应所述石英吸笔本体的吸持孔处开有第一贯穿孔,所述外层高温布垫片对应所述石英吸笔本体的吸持孔处开有第二贯穿孔,所述内层海绵垫的一面通过粘接剂粘贴于所述石英吸笔本体的吸持部分的外端面,所述外层高温布垫片通过粘接剂粘贴于所述内层海绵垫的另一面,所述外层高温布垫片的表面光滑柔软、可防静电。
其进一步特征在于:
所述内层海绵垫的截面外轮廓和所述石英吸笔本体的吸持部分的外端面的轮廓相同或相似,确保粘贴时可以覆盖住石英吸笔本体的吸持部分的外端面;
所述内层海绵垫的厚度为5mm~15mm,确保吸持的顺利进行;
所述外层高温布垫片具体为有特芙蓉涂层的高温布裁剪而成;
所述外层高温布垫片的外轮廓和所述内层海绵垫的截面外轮廓相同或相似,确保粘贴时可以覆盖住所述内层海绵垫的另一面。
采用本实用新型的结构后,内层海绵垫作为缓冲层,外层高温布垫片的表面光滑柔软、可防静电,使得在吸持过程中不会产生静电吸力,只有气动的吸持力,由于内层海绵垫存在,使得石英吸笔本体的吸持部分的硬质结构不会和电池片表面硬碰硬接触,进而不会在电池片表面产生吸笔印,确保产品外观。
附图说明
图1为本实用新型的组装前的俯视图结构示意图;;
图2为本实用新型的侧视图结构示意图;
图中各序号所对应的标注名称如下:
石英吸笔本体1、吸持部分2、内层海绵垫3、外层高温布垫片4、吸持孔5、第一贯穿孔6、第二贯穿孔7。
具体实施方式
一种抗电位诱导衰减的钝化炉使用吸笔结构,见图1、图2:其包括石英吸笔本体1,石英吸笔本体1的吸持部分2的外端面分别依次粘贴有内层海绵垫3、外层高温布垫片4,内层海绵垫3对应石英吸笔本体1的吸持孔5处开有第一贯穿孔6,外层高温布垫片4对应石英吸笔本体1的吸持孔5处开有第二贯穿孔7,内层海绵垫3的一面通过粘接剂粘贴于石英吸笔本体1的吸持部分2的外端面,外层高温布垫片4通过粘接剂粘贴于内层海绵垫3的另一面,外层高温布垫片4的表面光滑柔软、可防静电。
内层海绵垫3的截面外轮廓和石英吸笔本体1的吸持部分2的外端面的轮廓相同或相似,确保粘贴时可以覆盖住石英吸笔本体1的吸持部分2的外端面;
内层海绵垫3的厚度为5mm~15mm,确保吸持的顺利进行;
外层高温布垫片4具体为有特芙蓉涂层的高温布裁剪而成;
外层高温布垫片4的外轮廓和内层海绵垫3的截面外轮廓相同或相似,确保粘贴时可以覆盖住内层海绵垫3的另一面。
以上对本实用新型的具体实施例进行了详细说明,但内容仅为本实用新型创造的较佳实施例,不能被认为用于限定本实用新型创造的实施范围。凡依本实用新型创造申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本专利涵盖范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造