[实用新型]一种分立器件管芯排布结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种分立器件管芯排布结构。

背景技术

针对分立器件,常规的布局结构中，栅极引出端(GatePad)是在管芯边缘，如图1所示。如果分立器件具有栅极领带(GateFinger)，GateFinger是从GatePad伸向中间，如图2所示。或者，GateFinger从管芯边沿上伸向中间，如图3所示。这种布局结构，由于分立器件的圆胞离GatePad距离差异较大,圆胞离GatePad越远,圆胞的开启速度越慢，导致分立器件性能的不稳定。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种分立器件管芯排布结构。

本实用新型的技术方案是，一种分立器件管芯排布结构，所述分立器件的管芯安装面为正方形，GatePad位于所述管芯安装面的中心位置。

所述分立器件还具有GateFinger，所述GateFinger由所述的GatePad向四周延伸。

所述分立器件是VDMOS或IGBT。

本实用新型提出一种排布结构,把GatePad放在分立器件管芯正中央,并且管芯尺寸改成正方形,如果有GateFinger,由GatePad伸向四周,尽量使不同圆胞的开启速度接近,提高器件电流均匀性。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本实用新型示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本实用新型的若干实施方式，其中：

图1是现有技术中分立器件的一种管芯排布结构示意图。

图2是现有技术中分立器件的另一种管芯排布结构示意图。

图3是现有技术中分立器件的又一种管芯排布结构示意图。

图4是本实用新型的分立器件的管芯排布结构示意图。

图5是本专利的管芯排布图

其中，1——GatePad，2——管芯，3——GateFinger。

具体实施方式

如图4所示，一种分立器件管芯排布结构，所述分立器件的管芯安装面为正方形，GatePad位于所述管芯安装面的中心位置。

如图5所示，所述分立器件还具有GateFinger，所述GateFinger由所述的GatePad向四周延伸。

所述分立器件器件类型不限,可以是VDMOS,IGBT等各种分立器件。

针对分立器件,常规的布局结构GatePad是在管芯边缘,如果有GateFinger,是从GatePad伸向中间，或者从边上伸向中间。这种结构圆胞的离GatePad距离差异较大,圆胞随GatePad电压开启速度存在差异,本实用新型的一种排布结构,把GatePad放在管芯正中央,并且管芯尺寸改成正方形,如果有GateFinger,由GatePad伸向四周,尽量使不同圆胞的开启速度接近,提高器件电流均匀性。

值得说明的是，虽然前述内容已经参考若干具体实施方式描述了本实用新型创造的精神和原理，但是应该理解，本实用新型创造并不限于所公开的具体实施方式，对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合，这种划分仅是为了表述的方便。本实用新型创造旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。