[实用新型]一种带场板的高功率高耐压半导体器件

权利要求书

1.一种带场板的高功率高耐压半导体器件，包括衬底，在衬底上依次形成的成核层、缓冲层、势垒层、介质层，其特征在于，还包括排布于介质层的多指栅极、源极、漏极，还包括跨漏极两端形成有第一场板和/或跨源极和栅极的两端形成有第二场板，所述第一场板和所述第二场板采用导电氧化物材料或导电金属材料。

2.根据权利要求1所述的带场板的高功率高耐压半导体器件，其特征在于，还包括空气桥，所述空气桥包括连接源极的第一空气桥和/或连接漏极的第二空气桥。

3.根据权利要求2所述的带场板的高功率高耐压半导体器件，其特征在于，所述第一场板和所述第二场板的位置均可位于所述空气桥与势垒层之间，或与所述空气桥的高度相同的位置。

4.根据权利要求1所述的带场板的高功率高耐压半导体器件，其特征在于，在有第一场板和第二场板的情形下，所述第一场板与所述第二场板连接至外部电压引出端。

5.根据权利要求1所述的带场板的高功率高耐压半导体器件，其特征在于，所述第一场板和所述第二场板均包括水平场板和水平场板两端柱状场板，所述柱状场板插入栅极和漏极之间。

6.根据权利要求5所述的带场板的高功率高耐压半导体器件，其特征在于，所述水平场板两端的柱状场板可为多个柱状场板。

7.根据权利要求5所述的带场板的高功率高耐压半导体器件，其特征在于，在所述第一场板外和/或在所述第二场板外套设有第三场板。

8.根据权利要求5所述的带场板的高功率高耐压半导体器件，其特征在于，所述柱状场板设置在距离栅极0~50um的位置、距离漏极0~50um的位置处。