[实用新型]一种半导体开关的过流保护电路有效

专利信息
申请号: 201520548859.6 申请日: 2015-07-27
公开(公告)号: CN204794934U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 戴畅 申请(专利权)人: 深圳市英可瑞科技开发有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 张明
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 开关 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种半导体开关的过流保护电路,包括电流采样电路、过流保护比较器电路、驱动控制电路,其特征在于:还包括NE555单稳态电路,所述电流采样电路、过流保护比较器电路、NE555单稳态电路和驱动控制电路依次串联连接。

2.根据权利要求1所述的半导体开关的过流保护电路,其特征在于:所述NE555单稳态电路包括555时基电路和RC定时电路。

3.根据权利要求1或2所述的半导体开关的过流保护电路,其特征在于:还包括一驱动电阻,所述驱动电阻与所述驱动控制电路相连。

4.根据权利要求1所述的半导体开关的过流保护电路,其特征在于:还包括与驱动控制电路连接的驱动关断网络。

5.根据权利要求4所述的半导体开关的过流保护电路,其特征在于:所述驱动关断网络包括并联连接的驱动电阻R1和稳压管ZD1。

6.根据权利要求5所述的半导体开关的过流保护电路,其特征在于:所述稳压管ZD1还串联有一个二极管D1。

7.根据权利要求5或6所述的半导体开关的过流保护电路,其特征在于:所述驱动关断网络还包括串联连接的电阻R2和电容C1,所述电阻R2、电容C1还与电阻R1和稳压管ZD1构成的并联结构串联连接。

8.根据权利要求1或2或4所述的半导体开关的过流保护电路,其特征在于:所述NE555单稳态电路和驱动控制电路之间还包括一三极管,所述NE555单稳态电路经过所述三极管形成OC门输出。

9.根据权利要求2或5或6所述的半导体开关的过流保护电路,其特征在于:驱动电阻R1的阻值为500ohm至5000ohm。

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