[实用新型]GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置有效
申请号: | 201520551683.X | 申请日: | 2015-07-27 |
公开(公告)号: | CN204789896U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 李智宁;谢剑翔;吴杰;李军浩;刘建成;蔡汉贤;罗伟良;敖昌民;邓杞绍;钟顺好 | 申请(专利权)人: | 广州供电局有限公司;西安交通大学 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李巍 |
地址: | 510620 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | gis 不均匀 电场 击穿 特性 研究 模拟 装置 | ||
1.一种GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置,其特征在于,包括高压极板、长度可调的高压电极杆、高压电极、密封筒、面电极和地极板,所述高压极板和地极板分别设置于所述密封筒两端构成密闭的收容腔;所述高压电极杆、高压电极和面电极均位于所述收容腔内,且所述高压电极通过所述高压电极杆与所述高压极板连接,所述面电极设置于所述地极板。
2.根据权利要求1所述的GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置,其特征在于,所述高压电极杆为金属螺杆,所述金属螺杆可调节地螺接于所述高压极板。
3.根据权利要求1所述的GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置,其特征在于,所述高压电极为高压球电极。
4.根据权利要求1所述的GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置,其特征在于,所述面电极为凹球面电极。
5.根据权利要求1所述的GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置,其特征在于,所述收容腔内充有气压可控的SF6气体。
6.根据权利要求1所述的GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置,其特征在于,所述密封筒为密封有机玻璃筒。
7.根据权利要求1所述的GIS稍不均匀电场的击穿特性研究模拟装置,其特征在于,还包括连接所述高压极板的电源。
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