[实用新型]一种微波裂片设备有效
| 申请号： | 201520554439.9 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN204991659U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 柳清超;毛俭;刘洋 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微波 裂片 设备 | ||
1.一种微波裂片设备，其特征在于：该设备包括硅片传送室、硅片预热腔室、硅片恒温室、微波裂片室、硅片冷却室和硅片分选区；其中：
硅片传送室：机械手从硅片盒中取出硅片，同时机械手扫描硅片数目及位置，然后把硅片竖直放在传送室内的石英舟上，再将装载硅片的石英舟传送至硅片预热腔室；
硅片预热腔室：用于对石英舟上硅片的预热；
硅片恒温室：装载硅片的石英舟通过机械手传输至硅片恒温室后，对硅片进行恒温加热；
微波裂片室：装载硅片的石英舟由机械手从硅片恒温室传输至微波裂片室，通过微波加热对硅片进行微波裂片；
硅片冷却室：装载硅片的石英舟由机械手从微波裂片室传输至硅片冷却室，对硅片进行冷却处理；
硅片分选区：机械手将装载硅片的石英舟从硅片冷却室传送至硅片分选区，选择SOI放在一个盒内，选择SOI对片放在另一个盒内。
2.根据权利要求1所述的微波裂片设备，其特征在于：所述石英舟能够放置硅片1-50对。
3.根据权利要求1所述的微波裂片设备，其特征在于：该设备还设置有加热器、氮气冷却装置、测温装置和控制系统，所述测温装置即热电偶。
4.根据权利要求3所述的微波裂片设备，其特征在于：所述硅片预热腔室和硅片恒温室内通过设置加热器进行加热，微波裂片室通过微波磁控头进行加热，硅片冷却室通过设置氮气冷却装置进行冷却。
5.根据权利要求4所述的微波裂片设备，其特征在于：所述硅片预热腔室、硅片恒温室、微波裂片室和硅片冷却室内都设有热电偶，用于将测试的温度信息传递至控制系统，控制系统通过接收的温度信息调控温度；控制系统还用于控制机械手的动作。
6.根据权利要求5所述的微波裂片设备，其特征在于：微波裂片室内设有1-60个微波磁控头，石英舟在微波裂片室内能够360℃旋转，使硅片均匀受热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
