[实用新型]导电屏蔽胶带有效

专利信息
申请号: 201520565975.9 申请日: 2015-07-30
公开(公告)号: CN204939377U 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: 姚杰;孙金永;刘虎林;王华生;杨守成;贺自力;闫新正 申请(专利权)人: 深圳市摩码科技有限公司
主分类号: C09J7/04 分类号: C09J7/04;C09J9/02
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 导电 屏蔽 胶带
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及胶带技术领域,具体涉及一种导电屏蔽胶带。

背景技术

导电屏蔽胶带是一类具有导电和电磁屏蔽功能的胶粘材料,通常由导电基材(铜、铝等)复合导电胶层构成,用于导电搭接和屏蔽干扰电磁信号,同时也具备静电泄放功能,广泛应用于手机,平板电脑,笔记本电脑等数码消费产品中。

当今数码消费产品越来越倾向于采用轻薄紧凑的设计,高频率的处理器以及高集成度的电路布线,对于抗射频干扰、电磁兼容和静电泄放均提出了更高的要求,目前市场上的导电屏蔽胶带多以20~100μm厚的铜箔作为基材,对于非平整表面的粘接和屏蔽较为困难,应用受到限制,也无法满足数码产品的薄型化需求。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种导电屏蔽胶带,以解决现有技术中导电屏蔽胶带超薄化和轻量化的技术问题。

为了实现实用新型目的,本实用新型提供一种导电屏蔽胶带,包括导电基材和导电胶层,导电基材为导电布,所述导电布覆设于所述导电胶层上,所述导电布的厚度为10μm-20μm,所述导电胶层的厚度为3μm-10μm。

优选地,所述导电布为梭织导电布或无纺导电布。

优选地,所述导电屏蔽胶带还包括在所述导电布上涂布油墨涂层。

优选地,所述油墨涂层的厚度为1μm-3μm。

优选地,所述导电屏蔽胶带还包括设置在所述导电胶层的与所述导电布相反的那面上的离型纸或离型膜。

优选地,所述离型纸为涂有硅油层的牛皮纸、格拉辛纸或淋塑牛皮纸。

优选地,所述离型膜为涂有硅油层的聚对笨二甲酸乙二脂或聚乙烯膜。

本实用新型通过导电布作为导电屏蔽胶带的导电基材,采用导电布的厚度为10μm-20μm,导电胶层的厚度为3μm-10μm,将导电屏蔽胶带厚度控制在30μm以下。与现有的铜箔屏蔽胶带相比,本实用新型由于导电布的柔软性,对于非平整的表面可做到完美贴合屏蔽,更为重要的是本实用新型在超薄化和轻量化具有更大的优势,很好地迎合智能手机、平板电脑等数码电子产品的轻薄化需求。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中导电屏蔽胶带的结构示意图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

参照图1,图1为本实用新型一实施例中导电屏蔽胶带的结构示意图,本实施例中,导电屏蔽胶带包括导电基材和导电胶层3,导电基材为导电布2,所述导电布2覆设于所述导电胶层3上,所述导电布2的厚度为10μm-20μm,所述导电胶层3的厚度为3μm-10μm。

在本实施例中,导电布2可以为梭织导电布或无纺导电布,导电布2的厚度采用19μm,导电胶层3的厚度为9μm,该导电屏蔽胶带的厚度为28μm,该导电布2起到导电和电磁屏蔽的作用,导电胶层3起到粘接和静电导通的作用。

本实用新型通过导电布2作为导电屏蔽胶带的导电基材,采用导电布2的厚度为10μm-20μm,导电胶层3的厚度为3μm-10μm,将导电屏蔽胶带厚度控制在30μm以下。与现有的铜箔屏蔽胶带相比,本实用新型由于导电布2的柔软性,对于非平整的表面可做到完美贴合屏蔽,更为重要的是本实用新型在超薄化和轻量化具有更大的优势,很好地迎合智能手机、平板电脑等数码电子产品的轻薄化需求。

在上述实施例中,为了满足特定的外观和绝缘需求,所述导电屏蔽胶带还包括在所述导电布2上涂布油墨涂层1,所述油墨涂层1的厚度选用范围为1μm-3μm,在本实施例中,油墨涂层1的厚度采用为2μm。

在上述实施例中,导电屏蔽胶带还包括离型纸(膜)4,设置在所述导电胶层3的与所述导电布2相反的那面上,离型纸可以是涂有硅油层的牛皮纸、格拉辛纸或淋塑牛皮纸,离型膜可以是涂有硅油层的聚对笨二甲酸乙二脂或聚乙烯膜。

本实用新型导电屏蔽胶带的制作过程为:选取19μm的梭织导电布2,在梭织导电布2上涂布油墨涂层1,使得油墨涂层2的厚度为2μm,在离型膜4涂布有导电胶水,放在烤箱里烘烤形成导电胶层3,将涂布有油墨涂层的梭织导电布与导电胶层贴合,形成为最终的导电屏蔽胶带。

以上仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

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