[实用新型]精密掩膜板有效
| 申请号： | 201520571698.2 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN204945613U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 范波涛;王水俊;王亚 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 精密 掩膜板 | ||
【权利要求书】：
1.一种精密掩膜板，包括沿第一方向分布的图案区以及位于其两侧的应力释放区，其特征在于，所述应力释放区包括沿第一方向分布的第一应力释放单元及第二应力释放单元，所述第二应力释放单元包括多个间隙。
2.如权利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述图案区以及所述应力释放区形成于一镍铁合金层中。
3.如权利要求2所述的精密掩膜板，其特征在于，所述第二应力释放单元位于第一应力释放单元的至少一侧。
4.如权利要求3所述的精密掩膜板，其特征在于，所述第二应力释放单元与第一应力释放单元的间距大于等于1mm。
5.如权利要求3所述的精密掩膜板，其特征在于，所述第一应力释放单元为半月形凹陷结构。
6.如权利要求3所述的精密掩膜板，其特征在于，所述第二应力释放单元包括多个沿第一方向分布的的连接条，相邻连接条之间具有间隙。
7.如权利要求3所述的精密掩膜板，其特征在于，所述第二应力释放单元呈矩形，其沿第一方向的宽度为20mm-30mm。
8.如权利要求3所述的精密掩膜板，其特征在于，所述精密掩膜板呈矩形，相邻两边与第一方向和第二方向平行，所述第二方向与第一方向垂直。
9.如权利要求8所述的精密掩膜板，其特征在于，所述第二应力释放单元在所述第二方向上与所述精密掩膜板边缘的距离大于等于0.3mm。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
