[实用新型]一种陶瓷嵌入式制冷型红外焦平面探测器连接件有效
申请号: | 201520577642.8 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN205039155U | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 杨振涛;彭博;张倩 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01J5/20 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 陆林生 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 嵌入式 制冷 红外 平面 探测器 连接 | ||
技术领域
本实用新型涉及陶瓷封装外壳技术领域,尤其涉及一种陶瓷嵌入式制冷型红外焦平面探测器连接件。
背景技术
红外焦平面探测器(FocalPlaneArrays,FPA)组件是高性能红外系统的核心部件,在航天、工业、环境和医学等领域都发挥着重要的作用,对红外探测器的可靠性和全寿命周期费用起决定作用。
随着高性能红外系统的不断发展,其对红外焦平面探测器组件提出了苛刻的条件要求,如重量要轻、体积小便于使用和携带、高性能、高可靠等。现有的陶瓷环状制冷型红外焦平面探测器连接件已不能满足新一代红外系统对探测器连接件的需求。陶瓷环状制冷型红外焦平面探测器受到体积、机械可靠性的方面限制,目前已不能满足其发展的需要。
以往的制冷型红外焦平面探测器连接件采用环状陶瓷,在上下两面焊接可伐环,一面焊接针引线,如说明书附图7所示。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种陶瓷嵌入式制冷型红外焦平面探测器连接件,该连接件以金属为主,氧化铝陶瓷嵌入式的方法进行封装,具有陶瓷件体积小、机械可靠性高、焊接面积小、漏气概率小的优点。
为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是:一种陶瓷嵌入式制冷型红外焦平面探测器连接件,包括金属组件、陶瓷件和金属引线,所述金属组件由连接管、上可伐环和下可伐环组成,所述连接管与所述上可伐环焊接连接,所述上可伐环底端与所述下可伐环上端面焊接连接,所述陶瓷件镶嵌在所述下可伐环上,所述金属引线焊接连接在所述陶瓷件的一端面上。
进一步的,所述陶瓷件与金属引线采用CPGA陶瓷针型栅格阵列的封装形式,其金属引线在所述陶瓷件一侧引出,引线节距为2.54mm或2.00mm。
进一步的,所述陶瓷件与金属引线采用CDIP陶瓷双列直插形式的封装形式,其金属引线在所述陶瓷件底面引出,引线节距为2.54mm或1.27mm。
进一步的,所述陶瓷件采用多层氧化铝陶瓷钨金属化高温共烧工艺制作。
进一步的,所述金属组件材料为铁镍合金或铁镍钴合金,所述陶瓷件与金属组件、金属引线采用银铜焊料焊接。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本实用新型作为红外焦平面探测器组件的重要组成部分,它是实现探测器高真空、长寿命、电互连、高可靠的关键部件,其封装的特点是以金属为主,氧化铝陶瓷嵌入式的方法进行封装。主要用于红外成像侦察、探测和成像制导,可满足高分静止轨道对地观测、机载大视场红外搜索跟踪系统等高端航天航空应用工程的需求;具有陶瓷件体积小、机械可靠性高、焊接面积小、漏气概率小的优点。
本实用新型与陶瓷环状制冷型红外焦平面探测器连接件对比,有以下优势:
1、封装形式多样化,不仅可以兼容CPGA引出方式还可以兼容CDIP引出方式;
2、体积小,重量轻,便于使用和携带;
3、具有较高的机械可靠性,由于陶瓷嵌入式以金属为主,在受到外力冲击时,会发生弹性变形,可以有效的释放冲击应力,提高其机械可靠性,恒定加速度满足10000g,Y1方向,1min;高气密,气密性达到≤1*10-6(Pa﹒cm3/s)
4、密封可靠性高,由于陶瓷嵌入式连接件的陶瓷与金属的焊接面积远小于环状连接件的焊接面积,所以前者的漏气概率较小,密封性能好,气密性达到≤1′10-6(Pa﹒cm3/s),同时可满足-120℃,72h低温存储要求。
并通过突破瓷件厚度“Z”向收缩率控制、侧面键合指精细印刷以及高精度钎焊等关键技术,在国内首次实现陶瓷嵌入式制冷型红外焦平面探测器连接件制备,达到国际先进水平。
附图说明
图1是本实用新型实施例1的主视图;
图2是图1的仰视图;
图3是图1的俯视图;
图4是本实用新型实施例2的主视图;
图5是图4的仰视图;
图6是图4的俯视图;
图7是陶瓷环状制冷型红外焦平面探测器连接件示意图;
其中,1连接管,2上可伐环,3下可伐环,4陶瓷件,5金属引线,6圆环瓷件,7圆环针引线。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的