[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括基底、外延层、栅极、源极和漏极，所述外延层为多层结构，所述外延层形成在所述基底上，所述栅极、源极和漏极形成在所述外延层上，且所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述基底开设有第一散热孔和第二散热孔，所述第一散热孔位于所述源极下方，所述第一散热孔贯穿所述基底和所述外延层并与所述源极接触，所述第二散热孔位于所述栅极和所述漏极之间的下方，所述第二散热孔与所述栅极和所述漏极相隔预定距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一散热孔和所述第二散热孔的表面镀有金属层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二散热孔中预先填充有散热材料。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述散热材料为AlN或铝合金。

5.根据权利要求2至4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层为金层或铜层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二散热孔的深度为所述基底的厚度。

7.根据权利要求1或6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二散热孔的形状为圆形，椭圆形或长方形。

8.根据权利要求1或6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一散热孔的形状为圆形，椭圆形或长方形。