[实用新型]一种防浪涌电路

权利要求书

1.一种防浪涌电路，包括正极总线（VM+）和负极总线（VM-），正极总线（VM+）和负极总线（VM-）的输出端之间用于连接负载电路；其特征在于所述正极总线（VM+）与负极总线（VM-）的输入端间串联有第一电阻（R1）和第二电阻（R2）；所述正极总线（VM+）与负极总线（VM-）间连接有开关控制电路，开关控制电路的检测端通过导线与第一电阻（R1）和第二电阻（R2）之间的导线相连；所述开关控制电路与正极总线（VM+）输出端之间的那段正极总线（VM+）上有电控开关（SW），或者开关控制电路与负极总线（VM-）输出端之间的那段负极总线（VM-）上有电控开关（SW），开关控制电路的控制端通过导线与电控开关（SW）的控制极相连。

2.如权利要求1所述的防浪涌电路，其特征在于所述电控开关（SW）为MOSFET开关（Q1），MOSFET开关（Q1）包括源极（S）、漏极（D）和门极（G），其门极（G）即为控制极。

3.如权利要求2所述的防浪涌电路，其特征在于所述开关控制电路包括三极管（Q2）、第三电阻（R3）、稳压管（Z1）和第四电阻（R4）；当所述MOSFET开关（Q1）位于开关控制电路与正极总线（VM+）输出端之间的那段正极总线（VM+）上时，所述三极管（Q2）并联在所述第一电阻（R1）两端，三极管（Q2）的发射极（e）与正极总线（VM+）相连，三极管（Q2）的基极（b）与第一电阻（R1）对应负极总线（VM-）的一端相连；所述第三电阻（R3）和稳压管（Z1）依次并联在三极管（Q2）的发射极（e）与集电极（c）之间；所述第四电阻（R4）的两端分别与三极管（Q2）的集电极（c）、负极总线（VM-）相连；所述MOSFET开关（Q1）的源极（S）与稳压管（Z1）的阴极对应，漏极（D）与正极总线（VM+）的输出端对应，门极（G）通过导线与稳压管（Z1）的阳极相连。

4.如权利要求2所述的防浪涌电路，其特征在于所述开关控制电路包括三极管（Q2）、第三电阻（R3）、稳压管（Z1）和第四电阻（R4）；当所述MOSFET开关（Q1）位于开关控制电路与负极总线（VM-）输出端之间的那段负极总线（VM-）上时，所述三极管（Q2）并联在所述第二电阻（R2）两端，三极管（Q2）的发射极（e）与负极总线（VM-）相连，三极管（Q2）的基极（b）与第二电阻（R2）对应正极总线（VM+）的一端相连；所述第三电阻（R3）和稳压管（Z1）依次并联在三极管（Q2）的发射极（e）与集电极（c）之间；所述第四电阻（R4）的两端分别与三极管（Q2）的集电极（c）、正极总线（VM+）相连；所述MOSFET开关（Q1）的源极（S）与稳压管（Z1）的阳极对应，漏极（D）与负极总线（VM-）的输出端对应，门极（G）通过导线与稳压管（Z1）的阴极相连。