[实用新型]一种电子锁驱动保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电力电子系统开关管驱动应用及保护领域，特别是一种电子锁驱动保护电路。

背景技术

现有电子锁线圈L驱动电流比较大（1A以上）直接长时间用大电流驱动保持闭锁，会严重影响电子锁的使用寿命且易损坏，电子锁的驱动电压均大于控制芯片（MCU）电源电压，不进行隔离会影响控制芯片的性能，可能造成死机或误动作甚至损坏控制芯片（MCU）等严重后果；同时现在多数MCU存在一个硬性问题，在上下电过程中，其IO引脚为不确定状态，可能会输出一小段高电平脉冲信号，也可能会造成电子锁的控制异常。现有电子锁驱动电路对电子锁上电保护及防止误动作保护电路复杂或通用性比较差。

发明内容

本实用新型的目的在于针对电子锁驱动控制、上电保护以及误动作问题，提供一种电子锁驱动保护电路，该电路成本低，可靠性、通用性较强。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案是：一种电子锁驱动保护电路，包括一MCU，还包括第一至第二误动作防护电路、第一至第二隔离电路、MOS管开关电路、三极管开关电路、限流电阻、电子锁电路，所述MCU的第一输出端经第一误动作防护电路、第一隔离电路、MOS管开关电路连接至所述电子锁电路的第一输入端，MCU的第二输出端经第二误动作防护电路、第二隔离电路、三极管开关电路、限流电阻连接至所述电子锁电路的第二输入端。

在本实用新型一实施例中，所述第一误动作防护电路包括第一至第二电阻、第一电容和第一三极管；所述第一电阻的一端与所述MCU的第一输出端连接，第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端、第一电容的一端、第一三极管的基极连接，第二电阻的另一端、第一电容的另一端与第一三极管的发射极相连接至GND端，第一三极管的集电极作为第一误动作防护电路的输出端连接至所述第一隔离电路的输入端。

在本实用新型一实施例中，所述第二误动作防护电路包括第三至第四电阻、第二电容和第二三极管；所述第三电阻的一端与所述MCU的第二输出端连接，第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端、第二电容的一端、第二三极管的基极连接，第四电阻的另一端、第二电容的另一端与第二三极管的发射极相连接至GND端，第二三极管的集电极作为第二误动作防护电路的输出端连接至所述第二隔离电路的输入端。

在本实用新型一实施例中，所述第一隔离电路包括第五至第六电阻、第一光电开关；所述第一光电开关发光器件的阴极与所述第一三极管的集电极连接，第一开关发光器件的阳极经第五电阻连接至第一工作电源，第一开关发光器件接收器件的集电极经第六电阻连接至第二工作电源，第一光电开关接收器件的发射极连接至所述MOS管开关电路。

在本实用新型一实施例中，所述第二隔离电路包括第七至第八电阻、第二光电开关；所述第二光电开关发光器件的阴极与所述第二三极管的集电极连接，第二开关发光器件的阳极经第七电阻连接至第一工作电源，第二开关发光器件接收器件的集电极经第八电阻连接至第二工作电源，第二光电开关接收器件的发射极连接至所述三极管开关电路。

在本实用新型一实施例中，所述MOS管开关电路包括MOS管和第九电阻，所述第九电阻的一端与MOS管的栅极相连接至所述第一光电开关接收器件的发射极，第九电阻的另一端与MOS管的源极相连接至GND端，MOS管的漏极与所述电子锁电路的第一输入端连接。

在本实用新型一实施例中，所述三极管开关电路包括第十电阻、第三三极管；所述第十电阻的一端与第三三极管的基极相连接至所述第二光电开关接收器件的发射极，第十电阻的另一端与第三三极管的发射极相连接至GND端，第三三极管的集电极经所述限流电阻连接至所述电子锁电路的第二输入端。

在本实用新型一实施例中，所述三极管开关电路包括第十电阻、第三电容、第三三极管；所述第十电阻的一端、第三电容的一端与第三三极管的基极相连接至所述第二光电开关接收器件的发射极，第十电阻的另一端、第三电容的另一端与第三三极管的发射极相连接至GND端，第三三极管的集电极经所述限流电阻连接至所述电子锁电路的第二输入端。

在本实用新型一实施例中，所述电子锁电路由电子锁和二极管组成；所述二极管用以防止在所述MOS管开关电路的MOS管、三极管开关电路的三极管关断时，继电器线圈产生高压，而击穿MOS管、三极管。

在本实用新型一实施例中，所述第一工作电源为MCU工作电源，第二工作电源为电子锁工作电源。

相较于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：