[实用新型]低局放值的单匝结构互感器有效
申请号: | 201520586163.2 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN204927009U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 陈耀刚;娄军峰;刘军超;张伟 | 申请(专利权)人: | 河南森源电气股份有限公司 |
主分类号: | H01F38/20 | 分类号: | H01F38/20;H01F27/29;H01F27/28 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 461500 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低局放值 结构 互感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及的是一种低局放值的单匝结构互感器,属于互感器技术领域。
背景技术
在互感器生产和使用过程中,局放的好坏不仅反应了互感器内在品质的优劣,更牵涉到互感器的使用寿命,所以互感器局放问题一直是互感器生产厂家和用户比较关注的问题。随着技术的发展,不少互感器都能够达到较低的局放值,但是仍有一些结构的互感器局放值存在一定的问题,如一些单匝结构的互感器在进行局放高点试验时局放值偏高,不能够满足用户要求,有时甚至会因为不能满足国标而报废,不仅浪费了材料,同时使产品的交货期也得不到保证。
现有单匝互感器结构,该种结构仅对互感器一次端子(由P1端子3、P2端子7构成)和导电杆4构成的一次绕组做电场均匀包覆,P1出线端子3和P2出线端子7之间未做任何屏蔽或电场处理措施,在高电压作用下,一次绕组将会出现电场分布不均,尤其在两个一次出线端子之间电场随着介质的突变出现较大的畸变,同时也存在尖端等不良情况,在一次端子施加电压时,一次端子附近将会因电场的不均匀和电场的畸变出现电极间放电、沿面放电、尖端放电等多种放电情况。在测试电压状态下测量其局放值时,其视在放电量较大,对互感器进行多次处理后,排除表面等其他因素时仍不能降低其局放值,如图3所示。
发明内容
本实用新型提出的是一种低局放值的单匝结构互感器,其目的旨在克服现有技术所存在的上述缺陷,提高局放的质量,满足用户要求。
本实用新型的技术解决方案:低局放值的单匝结构互感器,包括半导体皱纹纸2、P1端子3、导电杆4、互感器线圈6、P2端子7,其特征是一次端子的下方设有导电杆4,电杆4的内侧设有C形半导体纸板5;C形半导体纸板5通过半导体皱纹纸2固定在导电杆4上;互感器线圈6套入互感器一次绕组中。
本实用新型的优点:使整个互感器一次绕组在高电压下形成一个均匀的电场,互感器器身各部位电场场强分布均匀,场强过度平缓,场强无畸变情况。在测试电压状态下测量其局放值时,其视在放电量较小,在高电压状态下能减小互感器内部的局放值。
附图说明
图1是半导体纸板简要制作图;
图2是低局放值的单匝结构互感器的结构示意图;
图3原有单匝互感器结构示意图。
图中的1是硬绝缘纸板、2是半导体皱纹纸、3是P1端子、4是导电杆、5是C型半导体纸板、6是互感器线圈、7是P2端子。
具体实施方式
如附图所示,低局放值的单匝结构互感器,包括半导体皱纹纸2、P1端子3、导电杆4、互感器线圈6、P2端子7,其特征是一次端子的下方设有导电杆4,电杆4的内侧设有C形半导体纸板5;C形半导体纸板5通过半导体皱纹纸2固定在导电杆4上;互感器线圈6套入互感器一次绕组中。
所述的一次端子由P1出线端子3和P2出线端子7构成;
所述的C形半导体纸板5是由硬绝缘纸板1、半导体皱纹纸2缠绕而成,所述的硬绝缘纸板1的宽度与一次端子宽度一致;
所述的P1端子3和P2端子7与导电杆4焊接;
所述的互感器一次绕组由P1端子3、P2端子7、导电杆4构成;
低局放值的单匝结构互感器的制作方法,包括如下步骤:
(1)制作C型半导体纸板5,包括,
1)先将半导体皱纹纸2以半叠一层的缠绕方式缠绕在硬绝缘纸板1上;
2)缠绕时保证整个硬绝缘纸板1被半导体皱纹纸2覆盖;
3)硬绝缘纸板1的宽度与一次端子宽度一致,制作完成后待用,一次端子包括P1出线端子和P2出线端子,
4)将互感器P1端子3和P2端子7与导电杆4进行焊接,完成焊接后将互感器线圈6套入互感器一次绕组中,互感器一次绕组由P1端子3、P2端子7、导电杆4构成;如图1所示;
(2)先用半导体皱纹纸2对互感器一次端子和导电杆4进行整体包覆;
(3)将制作完成后的C型半导体纸板5放置互感器P1端子3和P2端子7的背面;
(4)将C型半导体纸板5固定在P1端子3和P2端子7的背面;
(5)用半导体皱纹纸2将C型半导体纸板5与互感器的一次绕组再做整体包覆;
(6)完成上述步骤后,C型半导体纸板5与互感器一次绕组在高电压下形成一个均匀的电场,互感器器身各部位电场场强分布均匀,场强过度平缓,同时场强无畸变情况。在测试电压状态下测量其局放值时,其视在放电量较小,如图2所示。
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